机构

• 沈阳自动化研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2021 [1]
• 2020 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design 会议论文  OAI收割 Guilin, China, June 4-6, 2021 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Xie C(谢闯);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/02/04 ballistic transport  compact model  integrated-cricuit design  sub-7 nm GAA MOSFET  the source-drain tunneling   Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling