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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design 会议论文  OAI收割 Guilin, China, June 4-6, 2021 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Xie C(谢闯);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2022/02/04 ballistic transport  compact model  integrated-cricuit design  sub-7 nm GAA MOSFET  the source-drain tunneling   Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling   Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect 会议论文  OAI收割 Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Yang ZJ(杨志家);  Zhang ZP(张志鹏)   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/08/01 Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic Gate-All-Around MOSFET Including the Source-to-drain Tunneling 会议论文  OAI收割 Male, Maldives, March 6-8, 2018 作者:  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家);  Cheng H(程贺);  Zhang ZP(张志鹏)   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/07/01 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: US8816326, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2013-05-10 作者:  刘洪刚;  殷华湘;  罗军;  赵超;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/27 Single-ZnO-Nanobelt-Based Single-Electron Transistors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 6 Ji, XF; Xu, Z; Cao, S; Qiu, KS; Tang, J; Zhang, XT; Xu, XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/04/14 Experimental Demonstration of the High-Performance Floating-Body/Gate DRAM Cell for Embedded Memories 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 743-745 Wu, QQ; Chen, J; Lu, ZC; Zhou, ZM; Luo, JX; Chai, Z; Yu, T; Qiu, C; Li, L; Pang, A; Wang, X; Fossum, JG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/17 Capacitorless DRAM  overlap  SOI floating-body cell (FBC)  tunneling field-effect transistor (T-FET)  underlap   Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101 Zhao, QT; Yu, WJ; Zhang, B; Schmidt, M; Richter, S; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Fox, A; Bourdelle, KK; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/17 Tunnel FET  Strained Si  Subthreshold swing  SiGe   Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: 10 作者:  Jiang, Xiang-Wei;  Li, Shu-Shen;  Xia, Jian-Bai;  Wang, Lin-Wang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 The Aharonov-Bohm-Fano interferometer as a spin-manipulating device 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7 W. J. Gong; H. Li; S. Zhang; G. Z. Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 quantum-dot  transport  heterostructure  antiresonance  spintronics  resonances  coherence  systems  wells