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存缴方式:oaiharvest
发表日期:1994
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X-RAY-POWDER STRUCTURE OF MONOAMMONIUM-EXCHANGED PHASE OF GAMMA-ZIRCONIUM PHOSPHATE, ZR(PO4)(NH4HPO4)
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY, 1994, 卷号: 98, 期号: 51, 页码: 13616-13620
作者:
POOJARY, DM
;
ZHANG, BL
;
DONG, YP
;
PENG, GZ
;
CLEARFIELD, A
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/06/20
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US5375134, 申请日期: 1994-12-20, 公开日期: 1994-12-20
作者:
OKUYAMA, HIROYUKI
;
AKIMOTO, KATSUHIRO
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994103779B2, 申请日期: 1994-12-14, 公开日期: 1994-12-14
作者:
奥村 敏之
;
猪口 和彦
;
中津 弘志
;
瀧口 治久
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
Apparatus for semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5373173, 申请日期: 1994-12-13, 公开日期: 1994-12-13
作者:
OHATA, TOYOHARU
;
OGAWA, MASAMICHI
;
NEMOTO, KAZUHIKO
;
MORI, YOSHIFUMI
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/26
発光素子用材料およびその製作方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994101585B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:
助川 徳三
;
木村 雅和
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1994101582B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:
伊藤 和弘
;
松田 広志
;
藤原 一郎
;
長妻 一之
;
大内 博文
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提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994101609B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:
長谷川 光利
;
原 利民
;
野尻 英章
;
関口 芳信
;
宮沢 誠一
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: GB2278726A, 申请日期: 1994-12-07, 公开日期: 1994-12-07
作者:
YOSHIHIRO, KOKUBO
;
SEIJI, MINAMIHARA
;
KOUJI, YAMASHITA
;
KATSUHIKO, GOTOH
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor blue-green laser diodes
专利
OAI收割
专利号: US5371756, 申请日期: 1994-12-06, 公开日期: 1994-12-06
作者:
FUJII, HIROAKI
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提交时间:2019/12/26
低抵抗n—型硫化亜鉛薄膜の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994097651B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:
伊藤 直行
;
下林 隆
;
水本 照之
;
岡本 則久
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提交时间:2019/12/24