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  • OAI收割 [325]
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  • 1994 [325]
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X-RAY-POWDER STRUCTURE OF MONOAMMONIUM-EXCHANGED PHASE OF GAMMA-ZIRCONIUM PHOSPHATE, ZR(PO4)(NH4HPO4) 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY, 1994, 卷号: 98, 期号: 51, 页码: 13616-13620
作者:  
POOJARY, DM;  ZHANG, BL;  DONG, YP;  PENG, GZ;  CLEARFIELD, A
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Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: US5375134, 申请日期: 1994-12-20, 公开日期: 1994-12-20
作者:  
OKUYAMA, HIROYUKI;  AKIMOTO, KATSUHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994103779B2, 申请日期: 1994-12-14, 公开日期: 1994-12-14
作者:  
奥村 敏之;  猪口 和彦;  中津 弘志;  瀧口 治久
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18
Apparatus for semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5373173, 申请日期: 1994-12-13, 公开日期: 1994-12-13
作者:  
OHATA, TOYOHARU;  OGAWA, MASAMICHI;  NEMOTO, KAZUHIKO;  MORI, YOSHIFUMI
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発光素子用材料およびその製作方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994101585B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:  
助川 徳三;  木村 雅和
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半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994101582B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:  
伊藤 和弘;  松田 広志;  藤原 一郎;  長妻 一之;  大内 博文
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994101609B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者:  
長谷川 光利;  原 利民;  野尻 英章;  関口 芳信;  宮沢 誠一
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: GB2278726A, 申请日期: 1994-12-07, 公开日期: 1994-12-07
作者:  
YOSHIHIRO, KOKUBO;  SEIJI, MINAMIHARA;  KOUJI, YAMASHITA;  KATSUHIKO, GOTOH
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Semiconductor blue-green laser diodes 专利  OAI收割
专利号: US5371756, 申请日期: 1994-12-06, 公开日期: 1994-12-06
作者:  
FUJII, HIROAKI
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低抵抗n—型硫化亜鉛薄膜の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994097651B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  
伊藤 直行;  下林 隆;  水本 照之;  岡本 則久
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/24