机构

• 半导体研究所 [8]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 大连化学物理研究所 [1]
• 长春应用化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 1998 [12]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1998     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structure degradation of 25Cr35Ni heat-resistant tube associated with surface coking and internal carburization 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING AND PERFORMANCE, 1998, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: 667-672 作者:  Wu, XQ;  Yang, YS;  Zhan, Q;  Hu, ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/02 carburization  coking  heat-resistant alloy   Low-temperature growth of cubic gan by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 作者:  Zheng, LX;  Yang, H;  Xu, DP;  Wang, XJ;  Li, XF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitrides  Mocvd  Surface morphology  Growth mechanism   Ni/alpha-Al2O3 catalyst for the partial oxidation of methane to syngas 期刊论文  OAI收割 acta physico-chimica sinica, 1998, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 737-741 作者:  Jin, RC;  Chen, YX;  Li, WZ;  Ji, YY;  Qin, YS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/11/10 methane  syngas  nickel  promoter   Mechanism of donor-acceptor pair recombination in Mg-doped GaN epilayers grown on sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1998, 卷号: 84, 期号: 4, 页码: 2082 Kang, TW; Park, SH; Song, H; Kim, TW; Yoon, GS; Kim, CO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  P-TYPE CONDUCTION  DEEP-LEVEL  ENERGY  FILMS   Multilayer assemblies of colloidal ZnS doped with silver and polyelectrolytes based on electrostatic interaction 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 1998, 卷号: 327, 页码: 528-531 Sun JQ; Hao EC; Sun YP; Zhang X; Yang B; Zou S; Shen JC; Wang SB 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2010/11/04 SULFIDE  FILMS  CDS   Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  COHERENT ISLANDS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE   The dependence of growth rate of GaN buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Liu XL; Lu DC; Wang LS; Wang XH; Wang D; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 MOVPE  GaN buffer layer  growth rate  growth parameters  TRIMETHYLGALLIUM  MECHANISMS  QUALITY  AMMONIA  DIODES  MOCVD  GAAS  THERMAL-DECOMPOSITION   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文  OAI收割 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   New method for the growth of highly uniform quantum dots 会议论文  OAI收割 2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN