机构

• 半导体研究所 [28]

采集方式

• OAI收割 [28]

内容类型

• 期刊论文 [26]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2002 [28]

学科主题

• 半导体物理 [28]

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浏览/检索结果: 共28条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrogen vacancy scattering  GaN  mobility  MOCVD  N-TYPE GAN  NITRIDE  FILMS   Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells 会议论文  OAI收割 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 作者:  Jiang DS;  Zhang Y;  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 LASERS  GAIN  GAAS   Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES   Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 polycrystalline silicon film  rapid thermal processing  microstructure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  PRESSURE  TRANSISTORS  CRYSTALLIZATION  GROWTH   Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376 Lu LW; Zhang YH; Wang J; Ge W 收藏  |  浏览/下载：135/11  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy growth  P-HEMT and HEMT functional materials  deep centers  ALXGA1-XAS  EPITAXY  TRENDS   Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 1010-1012 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  MICROSCOPY  SURFACES  ISLANDS  LAYER   Influence of ambient atmosphere on the plasmon resonance absorption of Ag/SiOx(0 <= x <= 2) nanocomposite film 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 867-870 Yang L; Liu YL; Wang QM; Li GH; Zhang LD 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 SI MATRIX  NANOPARTICLES   Optical study of electronic states in GaAsN 会议论文  OAI收割 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Luo XD; Yang CL; Huang JS; Xu ZY; Liu J; Ge WK; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM-WELL  ALLOYS  RELAXATION  GAAS1-XNX   ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD 期刊论文  OAI收割 plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174 Gu B; Xu Y; Qin FW; Wang SS; Sui Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/7  |  提交时间：2010/08/12 ECR plasma  cubic GaN  low pressure MOCVD  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS  DIMETHYLHYDRAZINE   Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-POWER  LASER-DIODES  NM