机构

• 半导体研究所 [5]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2003 [6]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2003     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type gaas surface studied by photoreflectance 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin, P;  Pan, SH;  Li, YG;  Zhang, CZ;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Sulfur passivation  Franz-keldysh oscillations  Undoped-n(+) type gaas  Complex fourier transformation   Study on variable capacitance diode of (p)nc-si : h/(n)c-si heterojunction 期刊论文  iSwitch采集 Vacuum, 2003, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 465-469 作者:  Wei, WS;  Wang, TM;  Zhang, CX;  Li, GH;  Li, YX 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nc-si : h film  (p)nc-si : h/(n)c-si heterojunction  Variable capacitance diode   Preparation and characterization of a new perovskite-type oxide ion conductor KNb1-xMgxO3-delta 期刊论文  OAI收割 Acta Physica Sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1474-1478 J. Xiang; L. P. Li; W. H. Su 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/14 perovskite  ionic conduction  KN1-xMgxO3-delta  high-temperature and  high-pressure  ferroelectric phase-transition  hydrothermal synthesis  phase-transitions  (ceo2)(1-x)(bio1.5)(x)  electrolyte  ceramics  modes  knbo3   Study on variable capacitance diode of (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2003, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 465-469 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Li YX 收藏  |  浏览/下载：435/4  |  提交时间：2010/08/12 nc-Si : H film  (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction  variable capacitance diode  NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS  ELECTRICAL CHARACTERIZATION  CONDUCTION MECHANISM  SPECTROSCOPY  STATES   Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：395/1  |  提交时间：2010/08/12 band structure  differential gain  GaInNAs  optical gain  strain compensated  strain mediated  STRAIN  TEMPERATURE  DIODES  ALLOYS  OFFSET   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：458/3  |  提交时间：2010/08/12 sulfur passivation  Franz-Keldysh oscillations  undoped-n(+) type GaAs  complex Fourier transformation  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  GAAS(001) SURFACES  GAAS(100)  PHOTOEMISSION  SPECTROSCOPY  ENHANCEMENT