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  • 西安光学精密机械研... [34]
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Strain compensation in transistors 专利  OAI收割
专利号: US9818884, 申请日期: 2017-11-14, 公开日期: 2017-11-14
作者:  LE, VAN H.;  CHU-KUNG, BENJAMIN;  KAVALIEROS, JACK T.;  PILLARISETTY, RAVI;  RACHMADY, WILLY
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A Tunable Terahertz Photonic Crystal Narrow-Band Filter 期刊论文  OAI收割
ieee photonics technology letters, 2015, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 752-754
作者:  Li, Shaopeng;  Liu, Hongjun;  Sun, Qibing;  Huang, Nan
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2015/07/15
Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利  OAI收割
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
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Nitride semiconductor structure 专利  OAI收割
专利号: US8652918, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2014-02-18
作者:  STRITTMATTER, ANDRE
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利  OAI收割
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG
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EL semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US7899104, 申请日期: 2011-03-01, 公开日期: 2011-03-01
作者:  KISHINO, KATSUMI;  NOMURA, ICHIRO;  ASATSUMA, TSUNENORI;  TASAI, KUNIHIKO;  TAMAMURA, KOSHI
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Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: US7038243, 申请日期: 2006-05-02, 公开日期: 2006-05-02
作者:  KAMAKURA, TAKANOBU
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Vertical cavity emitting lasers 专利  OAI收割
专利号: GB2380606B, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2005-03-30
作者:  QING, , DENG;  JOHN, , HERNIMAN
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Tuneable photonic crystal lasers and a method of fabricating the same 专利  OAI收割
专利号: US6711200, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23
作者:  SCHERER, AXEL;  PAINTER, OSKAR
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Method of fabricating a semiconductor structure having quantum wires and a semiconductor device including such structure 专利  OAI收割
专利号: US6696372, 申请日期: 2004-02-24, 公开日期: 2004-02-24
作者:  WANG, BENZHONG;  CHUA, SOO JIN
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