机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2007 [2]
• 2006 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [1]

学科主题

• 光电子学 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of inter-level relaxation and cavity length on double-state lasing performance of quantum dot lasers 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/03/29 rate equation model   Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912 Yang T (Yang, Tao); Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun); Aoki K (Aoki, Kanna); Nishioka M (Nishioka, Masao); Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484 作者:  Ye XL;  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 bimodal size distribution  metalorganic vapor phase epitaxy  self-assembled quantum dots  indium arsenide  PHASE-EPITAXY  ISLANDS  INGAAS  SIZE  LASER   Photoluminescence study of multilayer In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dot at various temperature 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 19-23 Chen Y; Zhang W; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  photoluminescence  wetting layer  EXCITON LOCALIZATION  WELLS   Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180 Wang XD; Wang H; Wang HL; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  low temperature GaAs  As precipitates  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DEPENDENCE   Quantum-dot superluminescent diode: A proposal for an ultra-wide output spectrum 期刊论文  OAI收割 optical and quantum electronics, 1999, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1235-1246 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  SLD  wide spectrum  LOW-THRESHOLD  INAS ISLANDS  LASERS  GAAS  EMISSION  INGAAS  LAYER  OPERATION  GROWTH