机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [1]
• 2001 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994 作者:  Li Y 收藏  |  浏览/下载：359/38  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  Fracture property  Silicon nitride  Weibull distribution function   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Mechanical and tribological properties of epitaxial cubic boron nitride thin films grown on diamond 期刊论文  OAI收割 advanced engineering materials, 2008, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 482-487 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：71/10  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文  OAI收割 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  stability  A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 429-432 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  hydrogen contaminant  GSMBE  Raman spectrum  GROWTH  STRESS   Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650 Xu DP; Yang H; Zheng LX; Wang XJ; Duan LH; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  NITRIDATION