机构

• 上海微系统与信息技... [10]

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• OAI收割 [10]

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• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2009 [3]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
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• 2001 [1]
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学科主题

• Physics, ... [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 77808-77808 Gu, Y; Zhang, YG(张永刚）; Li, AZ; Wang, K; Li, C; Li, YY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  GROWTH  SINGLE   Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 664-670 Bao, XQ; Ge, DH; Zhang, S; Li, JP; Zhou, P; Jiao, JW; Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/12/17 P-TYPE SILICON  MACROPORE FORMATION  POROUS SILICON  FORMATION MECHANISMS  ARRAY FORMATION  MORPHOLOGY  PHYSICS  DENSITY  LIMITS  SI   Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 664-670 Bao, XQ; Ge, DH; Zhang, S; Li, JP; Zhou, P; Jiao, JW; Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2011/12/17 P-TYPE SILICON  MACROPORE FORMATION  POROUS SILICON  FORMATION MECHANISMS  ARRAY FORMATION  MORPHOLOGY  PHYSICS  DENSITY  LIMITS  SI   Observation of a diverse deviation from macropore-formation theory in silicon electrochemistry 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 3130-3137 Bao, XQ; Ge, DH; Jiao, JW 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2011/12/17 N-TYPE SILICON  P-TYPE SILICON  POROUS SILICON  PORE FORMATION  FORMATION MECHANISMS  ANODIC-DISSOLUTION  STABILITY ANALYSIS  ARRAY FORMATION  MORPHOLOGY  PHYSICS   Electromigration in Al interconnects and the challenges in ultra-deep submicron technology 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5424-5434 Zhang, WJ(张文杰）; Yi, WB（易万兵）; Wu, J（吴瑾） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  TRANSPORT MECHANISMS  DUAL-DAMASCENE  ALUMINUM FILMS  TEXTURE  GROWTH  GRAIN  TI  RELIABILITY  UNDERLAYER   Optimizing boron implantation dose of HgCdTe infrared detectors 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 911-914 Chen, GB; Lu, W; Cai, WY; Li, ZF; Chen, XS; Hu, XN; He, L; Shen, XC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 PHASE EPITAXY  HG1-XCDXTE  GROWTH   Silicon-on-insulator structure fabricated by electron beam evaporation of Si on porous Si and epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 662-664 Liu, WL; Duo, XZ; Wang, LW; Zhang, M; Shen, QW; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 ETCH-BACK  BOND  GROWTH   Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides 期刊论文  OAI收割 DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS 1997, 1998, 卷号: 160, 页码: 417-420 Peng, RW; Ding, YQ; Xu, CM; Wang, XG 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/25 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH   Experimental evidences of nearly single-crystalline diamond film 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 923-926 Wang, QM; Chen, QG; Shi, RH; Dong, RK 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/25 GROWTH   Magnetization characteristics of YBaCuO bulk material fabricated by the seeding technique 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION, 1996, 卷号: 5, 期号: 10, 页码: 781-789 Cai, CB; Fu, YX; Sun, Y; Gong, SM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25 AC SUSCEPTIBILITY  CRITICAL CURRENTS  FLUX CREEP  HIGH-TC  SUPERCONDUCTORS  Y2BACUO5  GROWTH  SIZE  YBCO