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半导体研究所 [13]
采集方式
iSwitch采集 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2008 [1]
2003 [1]
2001 [4]
2000 [1]
1999 [4]
1995 [1]
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共13条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of algan/gan heterostructures
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048
作者:
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提交时间:2019/05/12
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
期刊论文
iSwitch采集
Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339
作者:
Wang, QY
;
Wang, JH
;
Deng, HF
;
Lin, LY
收藏
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提交时间:2019/05/12
Neutron irradiation
Annealing
Defects in silicon
Formation of the micro-defects in floating zone silicon and its influence on photoluminescence of porous silicon
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2001, 卷号: 30, 页码: 564-567
作者:
Li, CB
;
Li, HX
;
Guo, CH
;
Zhang, H
;
Xue, CS
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提交时间:2019/05/12
Micro-defect
Hydrogen
Porous silicon
Infrared study on the oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2001, 卷号: 30, 页码: 568-571
作者:
Li, HX
;
Li, CB
;
Xue, CS
;
Diao, ZY
;
Chen, LS
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提交时间:2019/05/12
Oxygen precipitates
Silicon
Infrared spectrum
Oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience and its application
期刊论文
iSwitch采集
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2001, 卷号: 83, 期号: 1-3, 页码: 106-110
作者:
Li, HX
;
Li, CB
;
He, YJ
;
Liu, GR
;
Chen, YS
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Oxygen precipitates
Silicon
Ntd
Denuded zone
Photoluminescence properties of porous silicon based on fz(h) si wafer
期刊论文
iSwitch采集
Rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 38-+
作者:
He, YJ
;
Li, HX
;
Guo, CH
;
Liu, GR
;
Chen, YS
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提交时间:2019/05/12
Porous silicon
Photoluminescence
Surface modification
Rapid thermal oxidation
Hydrogen catalyzed oxygen precipitation in crystalline silicon
期刊论文
iSwitch采集
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 105-108
作者:
Li, HX
;
Xue, CS
;
Chen, LS
;
Zhou, W
;
Liu, GR
收藏
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提交时间:2019/05/12
Oxygen precipitation
Hydrogen catalysis
Silicon
Improved neutron radiation hardness for si detectors: application of low resistivity starting material and or manipulation of n-eff by selective filling of radiation-induced traps at low temperatures
期刊论文
iSwitch采集
Ieee transactions on nuclear science, 1999, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 221-227
作者:
Dezillie, B
;
Li, Z
;
Eremin, V
;
Bruzzi, M
;
Pirollo, S
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提交时间:2019/05/12
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
期刊论文
iSwitch采集
Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46
作者:
Li, Z
;
Dezilllie, B
;
Eremin, V
;
Li, CJ
;
Verbitskaya, E
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提交时间:2019/05/12
Strip detectors
Silicon detectors
Annealing
Simulation
Irradiation
Neutron irradiation-infrared based measurement method for interstitial oxygen in heavily boron-doped silicon
期刊论文
iSwitch采集
Semiconductor science and technology, 1999, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 74-76
作者:
Wang, QY
;
Ma, ZY
;
Cai, TH
;
Yu, YH
;
Lin, LY
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提交时间:2019/05/12