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  • 微电子研究所 [130]
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包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: US10128244, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2017-05-11
作者:  朱慧珑;  魏星
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半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备 专利  OAI收割
专利号: US10115641, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-04-05
作者:  朱慧珑
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/27
一种半导体器件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者:  王桂磊;  李俊峰;  刘金彪;  赵超
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/27
A Highly Sensitive SERS Device Based on a PDMS-CVD Prepared Substrate 期刊论文  OAI收割
IEEE, 2018
作者:  Xiong JJ(熊继军);  Li RR(李锐锐);  Mao HY(毛海央);  Chen Guidong;  Wang WB(王玮冰)
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/25
一种金属硅化物的形成方法 专利  OAI收割
专利号: US10096691, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2016-09-15
作者:  张青竹;  赵利川;  杨雄坤;  殷华湘;  闫江
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/03/27
Integral Equation Prediction of the Structure of Alternating Copolymer Nanocomposites near a Substrate 期刊论文  OAI收割
Langmuir, 2018
作者:  Chen L(陈岚);  Xu QZ(徐勤志);  Yang F(杨飞);  Cao H(曹鹤)
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/25
Effect of concentration on the position of uorescence peak based on blacksilicon SERS substrate 期刊论文  OAI收割
Applied surface science, 2018
作者:  Yuan Y(远雁);  Li CB(李超波);  Liu LH(刘丽花);  Cui SH(崔绍晖);  Fu TZ(符庭钊)
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/25
一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者:  王鑫华;  刘新宇;  黄森;  赵超;  王文武
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27
Electrical Research of Silicon Substrate Packaging Technology Based on the Cavity 会议论文  OAI收割
作者:  Lian Zheng;  Zhao M(赵慢);  Liu FM(刘丰满);  Sun Y(孙瑜);  Ma PC(马鹏程)
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具有高质量外延层的半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: US10043909, 申请日期: 2018-08-07, 公开日期: 2017-06-08
作者:  朱慧珑
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