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浏览/检索结果: 共135条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of hydrogenated silicon film microstructure on the surface states of n-type silicon nanowires and solar cells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 3066-3071 作者:  Yang, Ping; Zeng, Xiangbo   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/12/29 Simulation and fabrication of N-polar GaN-based blue-green light- emitting diodes with p-type AlGaN electron blocking layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9321-9325 作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Ye Yu;  Long Yan;  Pengchong Li;  Xu Han;  Liang Chen;  Degang Zhao;  Guotong Du   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 materials technology, 2016 F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10 Interface and Transport Properties of Metallization Contacts to Flat and Wet-Etching Roughed N-Polar n-Type GaN 期刊论文  OAI收割 acs applied materials & interfaces, ACS Applied Materials & Interfaces, 2013, 2013, 卷号: 5, 5, 期号: 12, 页码: 5797–5803, 5797–5803 作者:  Liancheng Wang, Zhiqiang Liu, Enqing Guo, Hua Yang, Xiaoyan Yi, Guohong Wang   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2014/04/09 Thermoelectric properties of zno nanowires: a first principle research 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 30-31, 页码: 2878-2881 作者:  Liu, Chaoren;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermoelectric property  Zno nanowire  First principle calculation  Boltzmann transport equation   Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6 作者:  Li Hui;  Zhou Kai;  Pang Jingbiao;  Shao Yundong;  Wang Zhu 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文  iSwitch采集 Journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Liu, Shiyong;  Zeng, Xiangbo;  Peng, Wenbo;  Xiao, Haibo;  Yao, Wenjie 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  I/p interface  Solar cells   Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50 作者:  Wei HY;  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CORE-LEVEL PHOTOEMISSION  SB-DOPED SNO2  INN  GROWTH  GAN  NAXWO3  ALLOYS  GREEN  STATE