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  • 1980 [19]
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Monolithic Peltier temperature controlled junction 专利  OAI收割
专利号: US4238759, 申请日期: 1980-12-09, 公开日期: 1980-12-09
作者:  HUNSPERGER, ROBERT G.
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24
Buried double heterostructure laser device 专利  OAI收割
专利号: US4230997, 申请日期: 1980-10-28, 公开日期: 1980-10-28
作者:  HARTMAN, ROBERT L.;  ILEGEMS, MARC;  KOSZI, LOUIS A.;  WAGNER, WILFRIED R.
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1980127090A, 申请日期: 1980-10-01, 公开日期: 1980-10-01
作者:  ITOU RIYOUICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
Fabricating method of semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1980113393A, 申请日期: 1980-09-01, 公开日期: 1980-09-01
作者:  ITOU MICHIHARU;  SHINOHARA HIROYA;  YOSHIKAWA MITSUO
  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1980111190A, 申请日期: 1980-08-27, 公开日期: 1980-08-27
作者:  NAMISAKI HIROBUMI;  KUMABE HISAO;  TAKAMIYA SABUROU
  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/01/18
Laser light emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1980110089A, 申请日期: 1980-08-25, 公开日期: 1980-08-25
作者:  -
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser beam stop device 专利  OAI收割
专利号: JP1980103785A, 申请日期: 1980-08-08, 公开日期: 1980-08-08
作者:  SATOU TOSHIO;  YOSHIDA TOMIO;  USHIHARA MASAHARU;  NAKADA AKIFUMI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Method of growing crystal 专利  OAI收割
专利号: JP1980099717A, 申请日期: 1980-07-30, 公开日期: 1980-07-30
作者:  SUGIYAMA KOUICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser element having a unitary film on a laser crystal and a heat sink thereof 专利  OAI收割
专利号: US4210878, 申请日期: 1980-07-01, 公开日期: 1980-07-01
作者:  YONEZU, HIROO
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1980086179A, 申请日期: 1980-06-28, 公开日期: 1980-06-28
作者:  KOBAYASHI NAOKI;  HORIKOSHI YOSHIHARU
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