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机构
西安光学精密机械研究... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
1988 [1]
1985 [2]
1983 [1]
1982 [1]
1980 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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Contacts to III-V semiconductors
专利
OAI收割
专利号: USH434, 申请日期: 1988-02-02, 公开日期: 1988-02-02
作者:
KOSZI, LOUIS A.
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提交时间:2019/12/24
Method of improving current confinement in semiconductor lasers by inert ion bombardment
专利
OAI收割
专利号: US4523961, 申请日期: 1985-06-18, 公开日期: 1985-06-18
作者:
HARTMAN, ROBERT L.
;
KOSZI, LOUIS A.
;
WILLIAMS, RICHARD S.
;
ZILKO, JOHN L.
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提交时间:2019/12/26
Method of forming current confinement channels in semiconductor devices
专利
OAI收割
专利号: US4514896, 申请日期: 1985-05-07, 公开日期: 1985-05-07
作者:
DIXON, RICHARD W.
;
JOYCE, WILLIAM B.
;
KOSZI, LOUIS A.
;
MILLER, RICHARD C.
;
SCHWARTZ, BERTRAM
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提交时间:2019/12/26
V-Groove semiconductor light emitting devices
专利
OAI收割
专利号: US4408331, 申请日期: 1983-10-04, 公开日期: 1983-10-04
作者:
HARTMAN, ROBERT L.
;
KOSZI, LOUIS A.
;
SCHWARTZ, BERTRAM
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提交时间:2019/12/24
Light emitting semiconductor devices
专利
OAI收割
专利号: US4313125, 申请日期: 1982-01-26, 公开日期: 1982-01-26
作者:
HARTMAN, ROBERT L.
;
KOSZI, LOUIS A.
;
SCHUMAKER, NORMAN E.
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提交时间:2020/01/13
Buried double heterostructure laser device
专利
OAI收割
专利号: US4230997, 申请日期: 1980-10-28, 公开日期: 1980-10-28
作者:
HARTMAN, ROBERT L.
;
ILEGEMS, MARC
;
KOSZI, LOUIS A.
;
WAGNER, WILFRIED R.
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提交时间:2019/12/24