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Contacts to III-V semiconductors 专利  OAI收割
专利号: USH434, 申请日期: 1988-02-02, 公开日期: 1988-02-02
作者:  
KOSZI, LOUIS A.
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/24
Method of improving current confinement in semiconductor lasers by inert ion bombardment 专利  OAI收割
专利号: US4523961, 申请日期: 1985-06-18, 公开日期: 1985-06-18
作者:  
HARTMAN, ROBERT L.;  KOSZI, LOUIS A.;  WILLIAMS, RICHARD S.;  ZILKO, JOHN L.
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26
Method of forming current confinement channels in semiconductor devices 专利  OAI收割
专利号: US4514896, 申请日期: 1985-05-07, 公开日期: 1985-05-07
作者:  
DIXON, RICHARD W.;  JOYCE, WILLIAM B.;  KOSZI, LOUIS A.;  MILLER, RICHARD C.;  SCHWARTZ, BERTRAM
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26
V-Groove semiconductor light emitting devices 专利  OAI收割
专利号: US4408331, 申请日期: 1983-10-04, 公开日期: 1983-10-04
作者:  
HARTMAN, ROBERT L.;  KOSZI, LOUIS A.;  SCHWARTZ, BERTRAM
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/24
Light emitting semiconductor devices 专利  OAI收割
专利号: US4313125, 申请日期: 1982-01-26, 公开日期: 1982-01-26
作者:  
HARTMAN, ROBERT L.;  KOSZI, LOUIS A.;  SCHUMAKER, NORMAN E.
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
Buried double heterostructure laser device 专利  OAI收割
专利号: US4230997, 申请日期: 1980-10-28, 公开日期: 1980-10-28
作者:  
HARTMAN, ROBERT L.;  ILEGEMS, MARC;  KOSZI, LOUIS A.;  WAGNER, WILFRIED R.
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24