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机构
上海微系统与信息技术... [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2001 [1]
1999 [2]
学科主题
Physics, M... [7]
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浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
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限定条件
学科主题:Physics, Multidisciplinary
条数/页:
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Effect of Mg Doping on the Photoluminescence of GaN:Mg Films by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 67807
Sui, YP
;
Yu, GH
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 77808-77808
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, AZ
;
Wang, K
;
Li, C
;
Li, YY
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
GROWTH
SINGLE
External electric field elect on hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN quantum dot
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3017-3020
Jiang, LM
;
Wang, HL
;
Wu, HT
;
Gong, Q
;
Feng, SL
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提交时间:2011/11/03
GAN/INGAN/GAN DOUBLE HETEROSTRUCTURES
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
NANOSTRUCTURES
RECOMBINATION
ENERGY
STATES
WELLS
Properties of strain compensated symmetrical triangular quantum wells composed of InGaAs/InAs chirped superlattice grown using gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 726-729
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
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提交时间:2012/03/24
2.1 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASERS
PHOTOLUMINESCENCE
WAVELENGTH
HETEROSTRUCTURE
Investigations into electron spin resonance in doped nanocrystalline silicon films
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 512-516
Liu, XN
;
Xu, GY
;
Sui, YX
;
He, YL
;
Bao, XM
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MICROCRYSTALLINE SILICON
PHOTOLUMINESCENCE
SIZE
Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560
Zhang, XH
;
Hu, YS
;
Wu, J
;
Cheng, ZQ
;
Xia, GQ
;
Xu, YS
;
Chen, ZH
;
Gui, YS
;
Chu, JH
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPACE-CHARGE-REGION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE-EPITAXY
INGAALP ALLOYS
LASER-DIODES
RECOMBINATION
EFFICIENCY
PHOTOLUMINESCENCE
Porous structures and short-wavelength photoluminescence of C+-implanted SiO2 films
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 361-363
Zhao, J
;
Mao, DS
;
Ding, XZ
;
Lin, ZX
;
Jiang, BY
;
Yu, YH
;
Yang, GQ
;
Liu, XH
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提交时间:2012/03/25
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
BLUE PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALLINE SILICON
THERMAL SIO2-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
LUMINESCENCE
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