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浏览/检索结果: 共82条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2016/06/01 AlN  AlGaN 基深紫外 LED  AlGaN 基紫外 Laser  AlN 纳米柱  半极性面纳米锥   Carrier thermalization under stimulated emission in In0.17Ga0.83N epilayer at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 105, 105, 期号: 23, 页码: 232104, 232104 作者:  Shang, ZJ;  Zheng, XH;  Yang, C;  Chen, Y;  Li, B   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/03/19 0.6-eV bandgap In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices with compositionally undulating step-graded InAsyP(1-y)buffers 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 026802 Ji Lian; Lu Shu-Long; Jiang De-Sheng; Zhao Yong-Ming; Tan Ming; Zhu Ya-Qi; Dong Jian-Rong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/22 Sub-400 degrees C Si2H6 Passivation, HfO2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In0.7Ga0.3As and Ge1-xSnx CMOS 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2013, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 1640-1648 Gong, Xiao; Han, Genquan; Liu, Bin; Wang, Lanxiang; Wang, Wei; Yang, Yue; Kong, Eugene Yu-Jin; Su, Shaojian; Xue, Chunlai); Cheng, Buwen; Yeo, Yee-Chia 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/08/27 Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2012, 卷号: 520, 期号: 16, 页码: 5361-5366 Hu, WX; Cheng, BW; Xue, CL; Su, SJ; Liu, Z; Li, YM; Wang, QM; Wang, LJ; Liu, JQ; Ding, J; Lin, GJ; Lin, ZD 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/02/04 Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30 Zhu, JJ; Fan, YM; Zhang, H; Lu, GJ; Wang, H; Zhao, DG; Jiang, DS; Liu, ZS; Zhang, SM; Chen, GF; Zhang, BS; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/02/27 Epitaxy of Ge on offcut Si substrate for growth of In0.01Ga0.99As 期刊论文  OAI收割 ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 页码: 314-316 Hu, Weixuan; Cheng, Buwen; Xue, Chunlai; Su, Shaojian; Liu, Zhi; Li, Yaming; Wang, Qiming 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/06/13 Epitaxial growth  Germanium  Indium  Photonics  Semiconducting silicon compounds  Silicon   Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Le LC;  Zhang SM;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：46/3  |  提交时间：2011/07/05 Nitride materials  Crystal growth  Composition fluctuations  X-ray diffraction  LAYER   Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.103501 作者:  Cui K;  Wei Y;  Huo YH;  Zhang YH 收藏  |  浏览/下载：52/2  |  提交时间：2011/07/06 Polarized x-ray spectroscopy of quaternary ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)(As,P) thin films 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 22502 Wadley P; Casiraghi A; Wang M; Edmonds KW; Campion RP; Rushforth AW; Gallagher BL; Staddon CR; Wang KY; van der Laan G; Arenholz E 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/02/06 CIRCULAR-DICHROISM  ABSORPTION