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浏览/检索结果: 共586条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8 作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2023/05/09 polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation   Anisotropic Strain Relaxation in Semipolar (11(2)over-bar2) InGaN/GaN Superlattice Relaxed Templates 期刊论文  OAI收割 NANOMATERIALS, 2022, 卷号: 12, 期号: 17, 页码: 3007 作者:  Li, Wenlong;  Wang, Lianshan;  Chai, Ruohao;  Wen, Ling;  Wang, Zhen   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/11/10 Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7 作者:  Wang, Ying-Zhe;  Zheng, Xue-Feng;  Lv, Ling;  Cao, Yan-Rong;  Wang, Xiao-Hu   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/12/08 UVA LED  swift heavy ion irradiation  degradation  defect  low frequency noise   Suppressed optical field and electron leakage and enhanced hole injection in InGaN laser diodes with InGaN-GaN-InGaN barriers 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2021, 卷号: 130, 期号: 18 作者:  L. Cheng;  J. Zhang;  J. Wang;  J. Zhang;  J. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2022/06/13 Role of hydrogen treatment during the material growth in improving the photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874, 页码: 159851 作者:  Hou, Yufei;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Chen, Ping;   Yang, Jing;   Liu, Zongshun   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2022/03/28 The influence of material quality of lower InGaN waveguide layer on the performance of GaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 卷号: 570, 页码: 151132 作者:  Wang, Xiao-Wei;   Liang, Feng;   Zhao, De-Gang;   Chen, Ping;   Liu, Zong-Shun;   Yang, Jing   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/03/23 Improvement of interface morphology and luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal annealing treatment 期刊论文  OAI收割 RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 31, 页码: 105057 作者:  Hou, Yufei;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping;   Yang, Jing   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/03/23 Influence of low-temperature GaN-Cap layer thickness on the InGaN/GaN multiple quantum well structure and its luminescence 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 1411-1419 作者:  Zhao, Yuntao;   Li, Guanghui;   Zhang, Shuai;   Liang, Feng;   Zhou, Mei;   Zhao, Degang;   Jiang, Desheng   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/07/15 Carrier recombination dynamics in green InGaN-LEDs with quantum-dot-like structures 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science, 2021, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1481-1491 作者:  M. Tian;  C. Ma;  T. Lin;  J. Liu;  D. N. Talwar   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/06/13 Reduction of threading dislocations in GaN grown on patterned sapphire substrate masked with serpentine channel 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 卷号: 134, 页码: 106013 作者:  BSRF用户   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2022/09/15