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浏览/检索结果: 共823条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 高密度1.3微米波段GaAs基、Si基InAs GaAs量子点激光器研究 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者:  郝慧明   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/07/15 Evidence of defect-annealing effect in swift heavy-ion-irradiated indium phosphide 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2022, 页码: 9 作者:  Hu, Peipei;  Xu, Lijun;  Zhai, Pengfei;  Zeng, Jian;  Zhang, Shengxia   |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2022/04/11 defect-annealing  heavy ions  InP  Raman intensity   Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9 作者:  J. Z. Liu;  M. C. Tang;  H. W. Deng;  S. Shutts;  L. F. Wang   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2023/06/14 宽禁带半导体物理 期刊论文  OAI收割 科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88 作者:  申德振   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2022/06/29 Symmetric Excitons in an (001)-Based InAs/GaAs Quantum Dot Near Si Dopant for Photon-Pair Entanglement 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2021, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: 1194 作者:  Shang, Xiangjun;   Li, Shulun;   Liu, Hanqing;   Ma, Ben;   Su, Xiangbin;   Chen, Yao;   Shen, Jiaxin;   Hao, Huiming;   Liu, Bing;   Dou, Xiuming;   Ji, Yang;   Sun, Baoquan;   Ni, Haiqiao;   Niu, Zhichuan   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2022/05/09 On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001) 期刊论文  OAI收割 New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 16 作者:  P. Steindl;  E. M. Sala;  B. Alen;  D. Bimberg and P. Klenovsky   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/06/13 Improved linewidth enhancement factor of 1.3-mu m InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2021, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 55002 作者:  Qiu, Ya-Qi;   Lv, Zun-Ren;   Wang, Hong;   Wang, Hao-Miao;   Yang, Xiao-Guang;   Yang, Tao   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/07/26 All-MBE grown InAs/GaAs quantum dot lasers with thin Ge buffer layer on Si substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 35103 作者:  Yang, Junjie;   Liu, Zizhuo;   Jurczak, Pamela;   Tang, Mingchu;   Li, Keshuang;   Pan, Shujie;   Sanchez, Ana;   Beanland, Richard;   Zhang, Jin-Chuan;   Wang, Huan;   Liu, Fengqi;   Li, Zhibo;   Shutts, Samuel;   Smowton, Peter;   Chen, Siming;   Seeds, Alwyn;   Liu, Huiyun   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2022/11/03 Enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot superluminescent diodes by direct Si-doping 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 045202 作者:  Hong Wang;   Zun-Ren Lv;   Zhong-Kai Zhang;   Yun-Yun Ding;   Hao-Miao Wang;   Xiao-Guang Yang;   Tao Yang   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/11/30 单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN110190515A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30 作者:  窦志珍;  曹广亮;  刘留;  苏小平   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30