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浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect-Related Etch Pits on Crystals and Their Utilization 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2022, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 20 作者:  Lu, Dongzhu;  Jiang, Quantong;  Ma, Xiumin;  Zhang, Qichao;  Fu, Xiaole   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2023/01/04 etch pit  crystal  dislocation  orientation  defects   Toward Phi 56 mm Al-Polar AlN Single Crystals Grown by the Homoepitaxial PVT Method 期刊论文  OAI收割 Crystal Growth & Design, 2022, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 3462-3470 作者:  D. Y. Fu;  D. Lei;  Z. Li;  G. Zhang;  J. L. Huang   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/06/14 Observation of etch pits in Fe-36wt%Ni Invar alloy 期刊论文  OAI收割 International Journal of Minerals Metallurgy and Materials, 2014, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 682-686 D. Z. Lu; M. J. Wu 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/01/14 Invar alloy  dislocations  etch pit technique  alloying elements  dislocation density  gan  reduction   Etch pits of precipitates in CdZnTe crystals on (111) B surface 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 卷号: 354, 期号: 1 作者:  Sheng, FF;  Cui, XP;  Sun, SW;  Yang, JR   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/18 Depth-dependent etch pit density in Ge epilayer on Si substrate with a self-patterned Ge coalescence island template 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2012, 卷号: 520, 期号: 6, 页码: 2307-2310 Huang, SH; Li, C; Zhou, ZW; Chen, CZ; Zheng, YY; Huang, W; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/04/17 Ge-on-Si  Dislocation density  Ge coalescence island template   Depth-dependent etch pit density in Ge epilayer on Si substrate with a self-patterned Ge coalescence island template 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2012, 卷号: 520, 期号: 6, 页码: 2307-2310 Huang, SH; Li, C; Zhou, ZW; Chen, CZ; Zheng, YY; Huang, W; Lai, HK; Chen, SY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10 Materials Science  Materials Science  Physics  Physics  Multidisciplinary  Coatings & Films  Applied  Condensed Matter   Gaas-based long-wavelength inas quantum dots on multi-step-graded ingaas metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 5 作者:  He Ji-Fang;  Wang Hai-Li;  Shang Xiang-Jun;  Li Mi-Feng;  Zhu Yan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range   Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 期号: 8, 页码: 47-51 作者:  Chen NF(陈诺夫) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/09/02 chemical etching  etch pit  defect  growth striations  convection   Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23