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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Band engineering of valleytronics WSe2-MoS2 heterostructures via stacking form, magnetic moment and thickness 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32 作者:  Wu, Yanwei;  Zhang, Zongyuan;  Ma, Liang;  Liu, Tao;  Hao, Ning   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/11/10 valleytronics  thickness  stacking  magnetic moment   Effect of stacking type and magnetic moment in spin-valley polarized MoS2-MoSe2 heterobilayers 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2022, 卷号: 12 作者:  Wu, Yanwei;  Liu, Tao;  Hao, Ning;  Long, Mingsheng;  Zhang, Min   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/12/23 Effect of strain engineering on magnetism-induced valley splitting in WSe2 based on the WSe2/CrSe2 heterojunction 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 5 作者:  Jiang, Cunyuan;  Yang, Zhiyao;  Xiong, Wen;  Wang, Fei   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/12/28 Prediction of the two-dimensional Janus ferrovalley material LaBrI 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2021, 卷号: 104 作者:  Jiang, Peng;  Kang, Lili;  Li, Yan-Ling;  Zheng, Xiaohong;  Zeng, Zhi   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/08/30 Valley manipulation in monolayer transition metal dichalcogenides and their hybrid systems: status and challenges 期刊论文  OAI收割 Reports on Progress in Physics, 2021, 卷号: 84, 期号: 2 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/10/15 valleytronics  transition metal dichalcogenides (TMDs)  optoelectronic devices  hybrid heterostructures   Quantum oscillations and anomalous angle-dependent magnetoresistance in the topological candidate Ag3Sn 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 101 作者:  Zhou, Nan;  Sun, Yue;  Xu, C. Q.;  Xi, C. Y.;  Wang, Z. S.   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/11/26 Interfaces between MoOx and MoX2 (X = S, Se, and Te) 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: - 作者:  Chen, FM;  Liu, JX;  Zheng, XM;  Liu, LH;  Xie, HP   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/09/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  MONOLAYER MOS2  TRANSPORT-PROPERTIES  ELECTRONIC-STRUCTURES  GRAPHENE NANORIBBONS  LARGE-AREA  NANORODS  CARBON   Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2020, 卷号: 124, 期号: 3, 页码: 037701 作者:  Zhi-Ming Yu;   Shan Guan;  Xian-Lei Sheng;   Weibo Gao;   Shengyuan A. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/12/16 Discovery of Superconductivity in 2M WS2 with Possible Topological Surface States 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2019, 卷号: 31, 期号: 30 作者:  Fang, Yuqiang;  Pan, Jie;  Zhang, Dongqin;  Wang, Dong;  Hirose, Hishiro T.   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2019/12/26 2M WS2  superconductivity  topological surface states   Unveiling exceptionally robust valley contrast in AA- and AB-stacked bilayer WS2 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE HORIZONS, 2019, 卷号: 4, 期号: 2, 页码: 396-403 作者:  Wang, Yanlong;  Cong, Chunxiao;  Shang, Jingzhi;  Eginligil, Mustafa;  Jin, Yuqi   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/06/20