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  • 2001 [37]
学科主题
  • 半导体材料 [37]
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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助

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Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403
Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW
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快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响（英文） 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 684
作者:  徐波
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Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144
Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK
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X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文  OAI收割
thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW
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Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139
作者:  Xu B
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立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征 期刊论文  OAI收割
中国科学. E辑，技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
作者:  王玉田
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立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文  OAI收割
中国科学. A辑， 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
作者:  王玉田
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Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文  OAI收割
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:  Xu B
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Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs 期刊论文  OAI收割
rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191
Yang RX; Zhang FQ; Chen NF
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Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46
作者:  Xu B;  Ye XL
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