中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
  • 2009 [8]
学科主题
  • 半导体材料 [8]
筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

限定条件        
条数/页： 排序方式：
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:  Wei HY
收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08
Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30
作者:  Ke Jianhong
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08
Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文  OAI收割
crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220
Islam MR; Chen NF; Yamada M
收藏  |  浏览/下载：224/44  |  提交时间：2010/03/08
Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:  Ke Jianhong
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23
Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 47-51
Chen Xiaofeng; Chen Nuofu; Wu Jinliang; Zhang Xiulan; Chai Chunlin; Yu Yude
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23
Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 期刊论文  OAI收割
journal of optoelectronics and advanced materials, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 1122-1126
Li H; Wang Z; Zhou K; Pang JB; Ke JY; Zhao YW
收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2010/03/08
Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 10-12
作者:  Zhang Yu
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23