机构

• 半导体研究所 [15]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 期刊论文 [14]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2011 [15]

学科主题

• 半导体材料 [15]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.121302 Plumhof JD; Krapek V; Ding F; Jons KD; Hafenbrak R; Klenovsky P; Herklotz A; Dorr K; Michler P; Rastelli A; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05 ENTANGLED PHOTON PAIRS  SEMICONDUCTOR  SPIN   Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文  OAI收割 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：71/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84345 Kong JX; Zhu QS; Xu B; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：39/3  |  提交时间：2011/07/05 Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者:  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2011/07/05 Atom force microscopy  Nanostructures  Molecular-beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting gallium arsenide  QUANTUM-DOTS  ANODIC ALUMINA  ARRAYS  PLACEMENT  INAS   In(Ga)As/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  杨晓光 收藏  |  浏览/下载：58/7  |  提交时间：2011/06/12 1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93 Xu DW; Yoon SF; Ding Y; Tong CZ; Fan WJ; Zhao LJ 收藏  |  浏览/下载：100/2  |  提交时间：2011/07/05 Dielectric-free approach  quantum dot (QD)  surface-relief technique  vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)  EMITTING LASERS   A Theoretical Calculation of the Impact of GaN Cap and Al(x)Ga(1-x)N Barrier Thickness Fluctuations on Two-Dimensional Electron Gas in a GaN/Al(x)Ga(1-x)N/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4272-4275 Liu GP (Liu Guipeng); Wu J (Wu Ju); Lu YW (Lu Yanwu); Zhang BA (Zhang Biao); Li CM (Li Chengming); Sang L (Sang Ling); Song YF (Song Yafeng); Shi K (Shi Kai); Liu XL (Liu Xianglin); Yang SY (Yang Shaoyan); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/02/22 周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194 作者:  曲胜春;  刘孔 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/07/17 Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104 作者:  Yu JL 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2011/07/05 The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102 Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06 ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ALGAN/GAN  POLARIZATION  PASSIVATION  HFETS  GHZ