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浏览/检索结果: 共825条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of heavy ion irradiation on the interface traps of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 6 作者:  Lin, Zheng-Zhao;  Lu, Ling;  Zheng, Xue-Feng;  Cao, Yan-Rong;  Hu, Pei-Pei   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2022/04/11 gallium nitride  radiation effects  defects  pulse testing   Recent advances in optoelectronic and microelectronic devices based on ultrawide-bandgap semiconductors 期刊论文  OAI收割 Progress in Quantum Electronics, 2022, 卷号: 83, 页码: 29 作者:  J. L. Yang;  K. W. Liu;  X. Chen and D. Z. Shen   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2023/06/14 Hybrid Ga2O3/AlGaN/GaN Ultraviolet Detector With Gate Metal in the Grooved AlGaN Layer for Obtaining Low Dark Current and Large Detectivity 期刊论文  OAI收割 Ieee Transactions on Electron Devices, 2022, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 6166-6170 作者:  Z. P. Liu;  C. S. Chu;  B. X. Wang;  G. S. Huang;  K. Jiang   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2023/06/14 The interface trap analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with temperature based on conductance method 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics: Conference Series, 2022, 卷号: 2248, 期号: 1, 页码: 12016 作者:  Liang, Yongfeng;  Zhang, Heqiu;  Chen, Huanhuan;  Xing, He;  Cai, Tao   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2023/11/10 Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7 作者:  Wang, Ying-Zhe;  Zheng, Xue-Feng;  Lv, Ling;  Cao, Yan-Rong;  Wang, Xiao-Hu   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/12/08 UVA LED  swift heavy ion irradiation  degradation  defect  low frequency noise   Enhancing the efficiency of GaN-based laser diodes by the designing of a p-AlGaN cladding layer and an upper waveguide layer 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 1780-1790 作者:  Hou, Yufei;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Liu, Zongshun;   Yang, Jing;   Chen, Ping   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2022/05/18 Simulation of a Parallel Dual-Metal-Gate Structure for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor High-Linearity Applications 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 218, 期号: 18, 页码: 2100151 作者:  Jia, Yeting;   Wang, Quan;   Chen, Changxi;   Feng, Chun;   Li, Wei;   Jiang, Lijuan;   Xiao, Hongling;   Wang, Qian;   Xu, Xiangang;   Wang, Xiaoliang   |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2022/05/19 Enhanced Sensitivity Pt/AlGaN/GaN Heterostructure NO2 Sensor Using a Two-Step Gate Recess Technique 期刊论文  OAI收割 IEEE SENSORS JOURNAL, 2021, 卷号: 21, 期号: 15, 页码: 16475-16483 作者:  Sun, Jianwen;   Zhan, Teng;   Sokolovskij, Robert;   Liu, Zewen;   Sarro, Pasqualina M.;   Zhang, Guoqi   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/05/19 Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides 期刊论文  OAI收割 Light: Science and Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1 作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Z. Shi;  H. Zang;  J. Ben   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/06/13 Numerical investigations into polarization-induced self-powered GaN-based MSM photodetectors 期刊论文  OAI收割 Applied Optics, 2021, 卷号: 60, 期号: 35, 页码: 10975-10983 作者:  J. Wang;  C. Chu;  J. Che;  H. Shao;  Y. Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/06/13