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高能物理研究所 [10]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2015 [1]
2014 [1]
2013 [2]
2009 [2]
2004 [1]
2000 [1]
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学科主题
Physics [10]
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学科主题:Physics
专题:高能物理研究所
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Structural transition behavior of ZnS nanotetrapods under high pressure
期刊论文
OAI收割
HIGH PRESSURE RESEARCH, 2015, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 9-15
作者:
Zhao, HF
;
Liu, W
;
Zhu, J
;
Shen, X
;
Xiong, L
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提交时间:2016/04/18
ZnS nanotetrapods
phase-transition behavior
high pressure in situ ADXRD
Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112
作者:
Tao, P
;
Huang, L
;
Cheng, HH
;
Wang, HH
;
Wu, XS;王焕华
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/04/08
GeSn films
high resolution X-ray diffraction
fully-strained
Raman measurements
Growth and phase transition characteristics of pure M-phase VO2 epitaxial film prepared by oxide molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 13, 页码: 131914
作者:
Fan, LL
;
Chen, S
;
Wu, YF
;
Chen, FH
;
Chu, WS
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提交时间:2016/04/08
Synchrotron radiation study of VO2 crystal film epitaxial growth on sapphire substrate with intrinsic multi-domains
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: 11604
作者:
Fan, LL
;
Wu, YF
;
Si C(姒程)
;
Si, C
;
Pan, GQ
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2016/04/08
In-situ monitoring of EuTiO3 and SrTiO3 film growth using time-resolved X-ray scattering during pulsed-laser deposition
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 935-943
作者:
Wang HH(王焕华)
;
Wang, HH
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提交时间:2016/06/29
time-resolved X-ray scattering
PLD
EuTiO3
SrTiO3
thin film
multilayer
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: 13911
作者:
Lu, J
;
Meng, HJ
;
Deng, JJ
;
Xu, PF
;
Chen, L
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/06/29
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Positron annihilation study of defects in pyrite FeS2 films prepared by sulfurizing thermally iron films
期刊论文
OAI收割
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2004, 卷号: 344, 期号: 1-4, 页码: 489-494
作者:
Wan DY(万冬云)
;
Wang BY(王宝义)
;
Zhou CL(周春兰)
;
Ma CX(马创新)
;
Wang YT(王玉田)
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提交时间:2016/06/28
iron pyrite films
semiconductors
defects
positron annihilation spectroscopy
Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764
作者:
Xu, DP
;
Wang, YT
;
Yang, H
;
Li, SF
;
Zhao, DG
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/06/29
Interfacial structure of molecular beam epitaxial grown cubic-GaN films on GaAs(001) probed by x-ray gazing-angle specular reflection
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 74, 期号: 20, 页码: 2981-2983
作者:
Li, JH
;
Chen, H
;
Cai, LC
;
Cui, SF
;
Yu, WX
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/06/29
Extremely narrow Sb delta-doped epitaxial layer characterized by x-ray reflectivity
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 686-689
作者:
Jiang, ZM
;
Xiu, LS
;
Jiang, XM
;
Zheng, WL
;
Lu, XK
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/06/28