机构

• 半导体研究所 [3]
• 高能物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2018 [2]
• 2014 [1]
• 2011 [2]

学科主题

• Physics [1]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Growth of high-Sn content (28%) GeSn alloy films by sputtering epitaxy 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2018, 卷号: 492, 页码: 29-34 作者:  Jun Zheng;  Zhi Liu;  Yongwang Zhang;  Yuhua Zuo;  Chuanbo Li;  Chunlai Xue;  Buwen Cheng;  Qiming Wang   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/11/19 Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022 作者:  Yang, Xinju;  Jia QJ(贾全杰);  Jiang, Zuimin;  Jia, Quanjie;  Zhong, Zhenyang   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/10/11 GeSn  dislocation-related photoluminescence  molecular beam epitaxy  microstructure  x-ray diffraction reciprocal space mapping   Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112 作者:  Tao, P;  Huang, L;  Cheng, HH;  Wang, HH;  Wu, XS;王焕华 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/04/08 GeSn films  high resolution X-ray diffraction  fully-strained  Raman measurements   Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Su Shao-Jian;  Wang Wei;  Zhang Guang-Ze;  Hu Wei-Xuan;  Bai An-Qi 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn  Ge  Molecular beam epitaxy  Epitaxial growth   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：55/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1