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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  
刘炜
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纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  
殷豪
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2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2001
林春
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2012/03/06