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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Research on the properties of HfO2optical films prepared with APS assisted electron beam evaporation deposition 会议论文  OAI收割 Hangzhou, China, 2021-05-23 作者:  Pan, Yong-Gang;  Liu, Zheng;  Li, Mian;  Liu, Wen-Cheng;  Bai, Long   |  收藏  |   Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith 专利  OAI收割 专利号: US20030214986A1, 申请日期: 2003-11-20, 公开日期: 2003-11-20 作者:  KOUTA, HIKARU;  SUZUKI, YOSHIKAZU;  KUDO, SHUETSU;  TSUNEKANE, MASAKI;  MUKAIHARA, KATSUJI   |  收藏  |   Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith 专利  OAI收割 专利号: US20030214986A1, 申请日期: 2003-11-20, 公开日期: 2003-11-20 作者:  KOUTA, HIKARU;  SUZUKI, YOSHIKAZU;  KUDO, SHUETSU;  TSUNEKANE, MASAKI;  MUKAIHARA, KATSUJI   |  收藏  |   面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3467593B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明   |  收藏  |   Method of fabricating a microelectronic device package with an integral window 专利  OAI收割 专利号: US6531341, 申请日期: 2003-03-11, 公开日期: 2003-03-11 作者:     |  收藏  |   面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3395194B2, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-04-07 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明   |  收藏  |   面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17 作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明   |  收藏  |   半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23 作者:  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  滝口 治久   |  收藏  |   Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1992186816A, 申请日期: 1992-07-03, 公开日期: 1992-07-03 作者:  SHIMADA KATSUTO   |  收藏  |   Manufacture of photoelectronic integrated element 专利  OAI收割 专利号: JP1992142503A, 申请日期: 1992-05-15, 公开日期: 1992-05-15 作者:  AOKI MASAKANE;  HIROE AKIHIKO;  FUJITA SHUNSUKE   |  收藏  |