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• 半导体研究所 [40]

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• 期刊论文 [36]
• 会议论文 [4]

发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [40]

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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Anisotropic characteristics and morphological control of silicon nanowires fabricated by metal-assisted chemical etching 期刊论文  OAI收割 journal of materials science, 2013, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 1755-1762 Liu, Kong; Qu, Shengchun; Zhang, Xinhui; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/10/08 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: article no.16108, Article no.16108 作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW   |  收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE  Gan-based  Led  Al Composition  Electron Blocking Layer  Temperature  Alloys  Movpe   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38 Xie Jing; Liu Yunfei; Yang Jinling; Tang Longjuan; Yang Fuhua 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066 Fan, HB; Yang, SY; Zhang, PF; Wei, HY; Liu, XL; Jiao, CM; Zhu, QS; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：80/3  |  提交时间：2010/03/08 SINGLE-CRYSTAL  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  NANORODS  FILMS   Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7462-7466 Hu, WG; Liu, XL; Jiao, CM; Wei, HY; Kang, TT; Zhang, PF; Zhang, RQ; Fan, HB; Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：54/4  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  THIN-FILMS  ALUMINUM NITRIDE  INTRINSIC STRESS  GAN  SAPPHIRE  AIN  DEPOSITION  STRAIN