机构

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采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 期刊论文 [17]

发表日期

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Epitaxial growth and thermochromic properties of B-phase VO2 thin films on SrTiO3 substrate 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Yang, Yang;  Long, Shiwei;  Sun, Guangyao;  Shao, Zewei;  Jin, Ping   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/12/28 Growth and electrical properties of epitaxial 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) thin film by pulsed laser deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 6779, 6784 作者:  Jiao, Shan;  Tang, Yanxue;  Zhao, Xiangyong;  Wang, Tao;  Duan, Zhihua   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/12/28 Epitaxial growth of perovskite (111) 0.65PMN-0.35PT films directly on wurtzite GaN (0002) surface 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 7 作者:  Xu, Xiaoke;  Zhao, Junliang;  Li, Guanjie;  Xu, Jiayue;  Li, Xiaomin   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/12/28 Epitaxial integration of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) (111) thin films on GaN (0002) with La0.5Sr0.5CoO3/TiO2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2018, 卷号: 216, 页码: 224, 227 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Bi, Zhijie;  Chen, Yongbo;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/12/28 Ferroelectrics  Thin films  Epitaxial growth  PMN-PT  GaN  Physical vapour deposition   Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE, 2017, 卷号: 9, 期号: 16, 页码: 5212-5221 Liu, Qingyun; Liu, Baodan; Yang, Wenjin; Yang, Bing; Zhang, Xinglai; Labbe, Christophe; Portier, Xavier; An, Vladimir; Jiang, Xin 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/08/17 Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: 122904-122904 Wu, H; Yuan, J; Peng, T; Pan, Y; Han, T; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GROWTH  ELECTRODES  CAPACITORS  SCHOTTKY  SOLIDS   Control of the epitaxial orientation and reduction of the interface leakage current in YMnO3/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 18, 页码: 185302-185302 Wu, H; Yuan, J; Peng, T; Pan, Y; Han, T; Shen, K; Zhao, BR; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 NONVOLATILE MEMORY DEVICES  THIN-FILMS  PLATINUM-ELECTRODES  GROWTH  DEPOSITION  SI  CANDIDATE  OXIDES  FIELD   Self-organized Ge nanocrystals embedded in HfAlO fabricated by pulsed-laser deposition and application to floating gate memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 13110-13110 Liu, WL; Lee, PF; Dai, JY; Wang, J; Chan, HLW; Choy, CL; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  DEVICE  HFO2  DIELECTRICS  OXIDATION  SIO2   Characteristics and polarization-enhanced model of wurtzite aluminum nitride thin films synthesized on Si(100) substrates by pulsed laser deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 3, 页码: 1934-1940 An, ZH; Men, CL; Yu, J; Chu, PK; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  ALN FILMS  ROOM-TEMPERATURE  A1N FILMS  SAPPHIRE  HETEROSTRUCTURES  MORPHOLOGY  ABLATION  SI(111)   Transport properties in melt-textured-growth-YBa1.9Na0.1Cu3O7-delta crystals 期刊论文  OAI收割 PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 2002, 卷号: 366, 期号: 3, 页码: 195-202 Wang, ZH; Zou, XW; Yang, T; Zhang, H; Fang, J; Huang, Z; Qiu, L; Chen, JL; Ding, SY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS  LATTICE MELTING TRANSITION  THIN-FILMS  2-DIMENSIONAL BEHAVIOR  FLUX MOTION  YBA2CU3O7-DELTA  ANISOTROPY  MAGNETIZATION  SUBSTITUTION  YBCO