机构

• 上海微系统与信息技术... [4]
• 上海硅酸盐研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2018 [2]
• 2010 [1]
• 2001 [3]

学科主题

• Physics, A... [6]
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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Theranostic 2D Tantalum Carbide (MXene) 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2018, 卷号: 30, 期号: 4 作者:  Lin, Han;  Wang, Youwei;  Gao, Shanshan;  Chen, Yu;  Shi, Jianlin   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/28 dual-mode imaging  nanosheets  photothermal therapy  tantalum carbide  theranostic   High Repetition Rate All-Solid-State Pulsed 2 mu m Laser Based on Selenide Molybdenum Saturable Absorber 期刊论文  OAI收割 IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2018, 卷号: 24, 期号: 5 作者:  Liu, Xinyang;  Yang, Kejian;  Zhao, Shengzhi;  Li, Ming;  Qiao, Wenchao   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/12/28 Solid lasers  Q-switched lasers  nanomaterials  transition metal compounds   Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 19, 页码: 194101-194101 Di, ZF; Huang, MQ; Wang, YQ; Nastasi, M 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 SINGLE-CRYSTAL SILICON  INDUCED PLATELETS  IMPLANTATION  SI  TEMPERATURE  EXFOLIATION  COMPLEXES  FLUENCE  CUT   Defect and strain in hydrogen and helium coimplanted single-crystal silicon 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 5-11 Duo, XZ; Liu, WL; Xing, S; Zhang, M; Fu, XR; Lin, CL; Hu, PG; Wang, SX; Wang, LM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 INDUCED EXFOLIATION  MECHANISM  CAVITIES  AU   Comparison between the different implantation orders in H+ and He+ coimplantation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 477-482 Duo, XZ; Liu, WL; Zhang, MA; Wang, LW; Lin, CL; Okuyama, M; Noda, M; Cheung, WY; Chu, PK; Hu, PG; Wang, SX; Wang, LM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 POSITRON-ANNIHILATION  INDUCED DEFECTS  SILICON  EXFOLIATION  MECHANISM  CAVITIES  AU   Evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 3780-3786 Duo, XH; Liu, WL; Zhang, M; Wang, LW; Lin, CL; Okuyama, M; Noda, M; Cheung, WY; Wong, SP; Chu, PK; Hu, PG; Wang, SX; Wang, LM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 INDUCED EXFOLIATION  INDUCED DEFECTS  COIMPLANTATION  MECHANISM  CAVITIES  AU