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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• 专利 [8]

发表日期

• 1998 [1]
• 1992 [1]
• 1991 [1]
• 1989 [1]
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• 1986 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2780337B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30 作者:  中村 隆宏   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1992127490A, 申请日期: 1992-04-28, 公开日期: 1992-04-28 作者:  TAKEUCHI TATSUYA;  KURAMATA AKITO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Films of catenated phosphorus materials, their preparation and use, and semiconductor and other devices employing them 专利  OAI收割 专利号: US5032472, 申请日期: 1991-07-16, 公开日期: 1991-07-16 作者:  MICHEL, CHRISTIAN G.;  SCHACHTER, ROZALIE;  KUCK, MARK A.;  BAUMANN, JOHN A.;  RACCAH, PAUL M.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24 Semimagnetic semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US4813049, 申请日期: 1989-03-14, 公开日期: 1989-03-14 作者:  BECLA, PIOTR   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1988060571A, 申请日期: 1988-03-16, 公开日期: 1988-03-16 作者:  NISHI KENICHI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Buried high resistance type semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988046789A, 申请日期: 1988-02-27, 公开日期: 1988-02-27 作者:  KASAHARA KENICHI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Catenated phosphorus material 专利  OAI收割 专利号: GB2113663B, 申请日期: 1986-10-29, 公开日期: 1986-10-29 作者:  MARK, ALLEN, KUCK;  CHRISTIAN, GABRIEL, MICHEL;  ROZALIE, SCHACHTER;  JOHN, ANDREW, BAUMANN;  PAUL, MORDECAI, RACCAH   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1985115284A, 申请日期: 1985-06-21, 公开日期: 1985-06-21 作者:  NOGUCHI ETSUO;  KONDOU SUSUMU;  SUZUKI YOSHIO;  NAGAI HARUO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18