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• 半导体研究所 [42]

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内容类型

• 期刊论文 [40]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
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学科主题

• 光电子学 [7]
• 半导体物理 [5]
• 半导体材料 [4]
• 半导体器件 [2]

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浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 94513 Feng, MX; Zhang, SM; Jiang, DS; Liu, JP; Wang, H; Zeng, C; Li, ZC; Wang, HB; Wang, F; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17 Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Photorefractive effect of a liquid crystal cell with a zno nanorod doped in only one pva layer 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 3 作者:  Guo Yu-Bing;  Chen Yong-Hai;  Xiang Ying;  Qu Sheng-Chun;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Dipolar and quadrupolar modes of sio2/au nanoshell enhanced light trapping in thin film solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 4 作者:  Bai Yi-Ming;  Wang Jun;  Chen Nuo-Fu;  Yao Jian-Xi;  Zhang Xing-Wang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and device characteristics of nano-folding ingan/gan multiple quantum well led 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 4 作者:  Chen Gui-Feng;  Tan Xiao-Dong;  Wan Wei-Tian;  Shen Jun;  Hao Qiu-Yan 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Nano-led  Photoluminescence (pl)  Electroluminescence (el)   Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：64/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 7 作者:  Wang Wei;  Huang Bei-Ju;  Dong Zan;  Chen Hong-Da 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Optoelectronic integrated circuit  Complementary metal-oxide-semiconductor technology  Silicon-based light emitting device  Electroluminescence   Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 2, 页码: 23502 Cui K; Ma WQ; Zhang YH; Huang JL; Wei Y; Cao YL; Jin Z; Bian LF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/02/06 DETECTOR   Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18503 作者:   收藏  |  浏览/下载：49/2  |  提交时间：2011/07/05 optoelectronic integrated circuit  complementary metal-oxide-semiconductor technology  silicon-based light emitting device  electroluminescence  AVALANCHE BREAKDOWN  PHOTON-EMISSION  CURRENT-DENSITY  DIODES  MODEL  ELECTROLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  EFFICIENCY  JUNCTIONS  LEDS   Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 99, 99, 期号: 12, 页码: 123504, 123504 作者:  Lv YJ;  Lin ZJ;  Meng LG;  Yu YX;  Luan CB   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06