机构

• 半导体研究所 [164]
• 西安光学精密机械研... [48]
• 物理研究所 [37]
• 上海微系统与信息技... [21]
• 长春光学精密机械与... [12]
• 上海技术物理研究所 [8]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [241]
• iSwitch采集 [62]

内容类型

• 期刊论文 [218]
• 专利 [46]
• 会议论文 [24]
• 学位论文 [14]
• 成果 [1]

发表日期

• 2001 [303]

学科主题

• 半导体物理 [42]
• 半导体材料 [37]
• 光电子学 [16]
• Crystallog... [5]
• 凝聚态物理 [4]
• 材料物理与化学 [4]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共303条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 量子阱激光器及肖特基势垒接触限流方法 专利  OAI收割 专利号: CN1328369A, 申请日期: 2001-12-26, 公开日期: 2001-12-26 作者:  王立军   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 Inas/gaas single-electron quantum dot qubit 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6151-6155 作者:  Li, SS;  Xia, JB;  Liu, JL;  Yang, FH;  Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Halfgeleiderlaser. 专利  OAI收割 专利号: NL1004998C, 申请日期: 2001-12-12, 公开日期: 2001-12-12 作者:  HIROAKI FUJII   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Asymmetry in the characteristic of gaas/algaas quantum well infrared photodetector 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 411-414 作者:  Li, N;  Li, N;  Lu, W;  Yuan, XZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/09 Qwip  Asymmetry  Desorptionrate   Defect states in cubic gan epilayer grown on gaas by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685 作者:  Xu, SJ;  Or, CT;  Li, Q;  Zheng, LX;  Xie, MH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 High-power semiconductor laser device including resistance reduction layer which has intermediate energy gap 专利  OAI收割 专利号: US20010043630A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22 作者:  AKINAGA, FUJIO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半導體雷射裝置及其製造方法 专利  OAI收割 专利号: TW465154B, 申请日期: 2001-11-21, 公开日期: 2001-11-21 作者:  川津善平;  宮下宗治;  八木哲哉   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 Exciton localization in in0.15ga0.85as/gaas quantum wire structures grown on (553)b-oriented gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5111-5114 作者:  Liu, BL;  Liu, B;  Xu, ZY;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Radiative recombination characteristics in gaas multilayer n(+)-i interfaces 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446 作者:  Shen, WZ;  Jiang, LF;  Yu, G;  Lai, ZY;  Wang, XG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15 作者:  木戸口 勲;  足立 秀人;  上山 智;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13