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一种黑土区水土保持方法及系统
专利
OAI收割
专利号: CN202211425880.8, 申请日期: 2023-03-21, 公开日期: 2023-03-21
作者:
孙莉英
;
吴辉
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提交时间:2023/07/18
一种GaN中子探测器用的
10
B
4
C中子转换层制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN112462412, 申请日期: 2021-01-01, 公开日期: 2021
作者:
朱志甫
;
邹继军
;
孙志嘉
;
唐彬
;
修青磊
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提交时间:2023/06/02
基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: 201611068958.X, 申请日期: 2019-10-22,
作者:
刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛
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提交时间:2021/03/01
基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
专利
OAI收割
专利号: 201610818729.9, 申请日期: 2019-10-22,
作者:
姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生
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提交时间:2021/03/01
一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器
专利
OAI收割
专利号: CN107123928B, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者:
张保平
;
许荣彬
;
梅洋
;
应磊莹
;
郑志威
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提交时间:2019/12/24
可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110265875A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者:
苏小平
;
窦志珍
;
曹广亮
;
刘留
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提交时间:2019/12/30
一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110265864A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者:
应磊莹
;
王灿
;
张保平
;
许荣彬
;
徐欢
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提交时间:2019/12/30
一种基于SiP封装的纳秒级大电流激光驱动芯片
专利
OAI收割
专利号: CN110265867A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者:
张雷
;
李海东
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提交时间:2020/01/18
一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
作者:
蔡玮
;
韩冰
;
王新迪
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提交时间:2020/01/18
Reflector, surface emitting laser, method for manufacturing reflector, and method for manufacturing surface emitting laser
专利
OAI收割
专利号: US20190273360A1, 申请日期: 2019-09-05, 公开日期: 2019-09-05
作者:
KAWASHIMA, TAKESHI
;
SATO, SHUNICHI
;
KAMINISHI, MORIMASA
;
IWATA, HIROKAZU
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提交时间:2019/12/31