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• 半导体研究所 [108]

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发表日期

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浏览/检索结果: 共108条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 105, 期号: 4, 页码: 1021-1024 作者:  Li, Xinyi;  Han, Peide;  Gao, Lipeng;  Mao, Xue;  Hu, Shaoxu 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Enhancing the curie temperature of ferromagnetic semiconductor (ga,mn)as to 200 k via nanostructure engineering 期刊论文  iSwitch采集 Nano letters, 2011, 卷号: 11, 期号: 7, 页码: 2584-2589 作者:  Chen, Lin;  Yang, Xiang;  Yang, Fuhua;  Zhao, Jianhua;  Misuraca, Jennifer 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Magnetic semiconductors  Magnetic properties of nanostructures  Magnetotransport phenomena  Molecular-beam epitaxy   Observation of the photoinduced anomalous hall effect in gan-based heterostructures 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 3 作者:  Yin, C. M.;  Tang, N.;  Zhang, S.;  Duan, J. X.;  Xu, F. J. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104 作者:  Yu JL 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2011/07/05 Enhancing the Curie Temperature of Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As to 200 K via Nanostructure Engineering 期刊论文  OAI收割 nano letters, NANO LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 11, 11, 期号: 7, 页码: 2584-2589, 2584-2589 作者:  Chen L;  Yang X;  Yang FH;  Zhao JH;  Misuraca J   |  收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2012/01/06 MANIPULATION  GAAS  Manipulation  Gaas   Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 042001-1-042001-4 Hu Weijie; Zhao Youwen; Sun Wenrong; Duan Manlong; Dong Zhiyuan; Yang Jun 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/08/16 Behavior of Pentacene Initial Nucleation on Various Dielectrics and Its Effect on Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistor 期刊论文  OAI收割 journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7103-7107 Qi QO (Qi Qiong); Yu AF (Yu Aifang); Wang LM (Wang Liangmin); Jiang C (Jiang Chao) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/30 Organic Field-Effect Transistor  Dielectric Surface Energy  Initial Nucleation  Mobility  Grain Size   Effects of crystalline quality on the ultraviolet emission and electrical properties of the zno films deposited by magnetron sputtering 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 11, 页码: 5876-5880 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Fan, Y. M. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Crystal quality  Rf magnetron sputtering  Zinc oxide  Semiconducting ii-vi materials   In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Effects of crystalline quality on the ultraviolet emission and electrical properties of the ZnO films deposited by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 11, 页码: 5876-5880 作者:  You JB;  Zhang XW;  Yin ZG;  Fan YM 收藏  |  浏览/下载：239/61  |  提交时间：2010/03/08 Crystal quality  RF magnetron sputtering  Zinc oxide  Semiconducting II-VI materials