机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2006 [3]
• 2003 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文  OAI收割 diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376 Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/12/28 Cubic boron nitride  Doping  Ion beam assisted deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  VAPOR-DEPOSITION  SI  NUCLEATION  GROWTH   Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765 Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN/AlN/GaN  two-dimensional electron gas  MOCVD  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  POLARIZATION  TRANSISTORS  GANHEMTS  GAS   Structural and optical properties of ZnO films on Si substrates using a gamma-Al2O3 buffer layer 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 269-273 Shen WJ; Wang J; Wang QY; Duan Y; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ZINC-OXIDE FILMS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SAPPHIRE  GROWTH   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002 Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ION-SCATTERING SPECTROSCOPY  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  FILMS  POLARIZATION  GAN(0001)  SURFACES  GROWTH  DIODES   Self-ordering of quasi-quantum wire in InAlAs/AlGaAs multilayer nanostructure and its optical anisotropy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 994-998 Chen Y; Li GH; Zhang W; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wire  polarization  photoluminescence  DOTS  TEMPERATURE  CONFINEMENT  PHOTOLUMINESCENCE  ARRAY  GAAS