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  • 2009 [92]
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InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 10
作者:  
Yang H(杨辉);  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2010/01/15
Mn-alinn: a new diluted magnetic semiconductor 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 96, 期号: 4, 页码: 979-984
作者:  
Majid, Abdul;  Sharif, Rehana;  Zhu, J. J.;  Ali, Akbar
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/05/12
Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS , 2009, 卷号: 28, 期号: 7
作者:  
Yang H(杨辉);  Zhang SM;  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/01/15
Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN films 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7
作者:  
Zhang SM;  Yang H(杨辉)
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2010/01/15
The field emission properties of nonpolar a-plane n-type gan films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文  iSwitch采集
Physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503
作者:  
Sun, Lili;  Yan, Fawang;  Wang, Junxi;  Zhang, Huixiao;  Zeng, Yiping
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/05/12
Polishing of (100) gamma-lialo2 wafer and its effect on the epitaxial growth of zno films by mocvd 期刊论文  iSwitch采集
Journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 479, 期号: 1-2, 页码: L8-l10
作者:  
Lin, Hui;  Zhou, Shengming;  Teng, Hao;  Jia, Tingting;  Hou, Xiaorui
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/05/10
The structure, morphology and raman scattering study on mn-implanted nonpolar a-plane gan films 期刊论文  iSwitch采集
Materials science and engineering b-advanced functional solid-state materials, 2009, 卷号: 162, 期号: 3, 页码: 209-212
作者:  
Sun, Lili;  Yan, Fawang;  Zhang, Huixiao;  Wang, Junxi;  Zeng, Yiping
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/05/12
基于Al2O3衬底的GaN薄膜的生长方法 专利  OAI收割
专利号: CN100492592C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者:  
郝跃;  倪金玉;  张进成
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26
面阵式激光雷达探测芯片的设计与制作 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院西安光学精密机械研究所., 2009
作者:  
尹飞
收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2011/10/09
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5
作者:  
Zhang SM;  Yang H(杨辉)
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2010/01/15