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采集方式
OAI收割 [23]
iSwitch采集 [5]
内容类型
期刊论文 [27]
专利 [1]
发表日期
2016 [28]
学科主题
半导体物理 [3]
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共28条,第1-10条
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发表日期:2016
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n-VO2/p-GaN based nitride-oxide heterostructure with various thickness of VO2 layer grown by MBE
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389, 页码: 199-204
作者:
Wang, Minhuan
;
Bian, Jiming
;
Sun, Hongjun
;
Liu, Weifeng
;
Zhang, Yuzhi
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2017/02/24
Vanadium oxide
p-GaN
Molecular beam epitaxy
Phase transition
Influence of doping in inp buffer on photoluminescence behavior of inpbi
期刊论文
iSwitch采集
Japanese journal of applied physics, 2016, 卷号: 55, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Wang, Peng
;
Pan, Wenwu
;
Cao, Chunfang
;
Wu, Xiaoyan
;
Wang, Shumin
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/09
Swift heavy ion irradiation of CaF2 - from grooves to hillocks in a single ion track
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2016, 卷号: 28, 页码: 7
作者:
El Kharrazi, Mourad
;
Ban-d'Etat, Brigitte
;
Bergen, Lorenz
;
Salou, Pierre
;
Gruber, Elisabeth
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/05/31
swift heavy ions
grazing incidence
nanostructure formation
CaF2
Strained monolayer germanene with 1?×?1 lattice on sb(111)
期刊论文
iSwitch采集
2d materials, 2016, 卷号: 3, 期号: 4
作者:
Gou,Jian
;
Zhong,Qing
;
Sheng,Shaoxiang
;
Li,Wenbin
;
Cheng,Peng
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/09
Germanene
Antimony
Stm
Density functional theory
Strain modulation
72.80.cw
Optical properties and band bending of ingaas/gaasbi/ingaas type-ii quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2016, 卷号: 120, 期号: 10, 页码: 6
作者:
Pan, Wenwu
;
Zhang, Liyao
;
Zhu, Liang
;
Li, Yaoyao
;
Chen, Xiren
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/09
Sunlight-induced resistance changes and their effects on the semiconductor-metal transition behavior of VO2 film
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 51, 期号: 17, 页码: 8233-8239
作者:
Wang, Minhuan
;
Bian, Jiming
;
Sun, Hongjun
;
Liu, Hongzhu
;
Li, Xiaoxuan
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/02/27
MgB2 ultrathin films fabricated by hybrid physical chemical vapor deposition and ion milling
期刊论文
OAI收割
APL MATERIALS, 2016, 卷号: 4, 页码: 8
作者:
Acharya, Narendra
;
Wolak, Matthaus A.
;
Tan, Teng
;
Lee, Namhoon
;
Lang, Andrew C.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/05/31
Influence of gaasbi matrix on optical and structural properties of inas quantum dots
期刊论文
iSwitch采集
Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1
作者:
Wang,Peng
;
Pan,Wenwu
;
Wu,Xiaoyan
;
Liu,Juanjuan
;
Cao,Chunfang
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/09
Inas
Quantum dot
Gaasbi
Mbe
Thermal stability
Method of fabricating a superlattice structure
专利
OAI收割
专利号: US9324900, 申请日期: 2016-04-26, 公开日期: 2016-04-26
作者:
EVANS, ALLAN
;
TENNANT, WILLIAM
;
HOOD, ANDREW
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
The effect of boron on the doping efficiency of nitrogen in ZnO
期刊论文
OAI收割
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 672
作者:
Chen, X. Y.
;
Z. Z. Zhang
;
B. Yao
;
Y. G. Zhang
;
Y. Gu
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提交时间:2017/09/11