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• 半导体研究所 [96]

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学科主题

• 光电子学 [96]

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浏览/检索结果: 共96条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with Compositionally Graded LT-GaAs Sb1− Buffer Layers 期刊论文  OAI收割 CHIN. PHYS. LETT., 2017, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 018101 作者:  Hai-Long Yu;  Hao-Yue Wu;  Hai-Jun Zhu;  Guo-Feng Song;  Yun Xu   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/11/30 Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, Journal of Physical Chemistry C, 2015, 2015, 卷号: 119, 119, 页码: 17842−17847, 17842−17847 作者:  Dalin Zhang;  Zhi Liu;  Dongliang Zhang;  Xu Zhang;  Junying Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/22 High-quality Ge1-xSnx alloys grown on Ge(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 058101 Su Shao-Jian; Zhang Dong-Liang; Zhang Guang-Ze; Xue Chun-Lai; Cheng Bu-Wen; Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/10/10 Growth of Ge1-xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2013, 2013, 卷号: 64, 64, 页码: 543, 543 作者:  Su, SJ;  Zhang, DL;  Zhang, GZ;  Xue, CL;  Cheng, BW   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/04/04 GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文  OAI收割 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 Su SJ; Cheng BW; Xue CL; Wang W; Cao QA; Xue HY; Hu WX; Zhang GZ; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：70/5  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PERFORMANCE  SEMICONDUCTORS  SILICON   High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH