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• 半导体研究所 [22]

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学科主题

• 半导体材料 [22]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328 Huang SL; Wu Y; Zhu XF; Li LX; Wang ZG; Wang LZ; Lu GQ 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2011/07/05 SILICON NANOWIRES  SURFACE MIGRATION  NANOSTRUCTURES  CATALYST   Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603 作者:  Song HP 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  NITRIDE NANOTUBES  GAN  EMISSION  MECHANISM   GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI(001) SUBSTRATE  STRAIN  EPITAXY   Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 1, 页码: article no.16108, Article no.16108 作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW   |  收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE  Gan-based  Led  Al Composition  Electron Blocking Layer  Temperature  Alloys  Movpe   Growing 20 cm Long DWNTs/TWNTs at a Rapid Growth Rate of 80-90 mu m/s 期刊论文  OAI收割 chemistry of materials, 22 (4): feb 23 2010, CHEMISTRY OF MATERIALS, 22 (4): FEB 23 2010, 2010, 2010, 卷号: 22, 22, 期号: 4, 页码: 1294-1296, 1294-1296 作者:  Wen Q (Wen Qian);  Zhang RF (Zhang Rufan);  Qian WZ (Qian Weizhong);  Wang YR (Wang Yuran);  Tan PH (Tan Pingheng)   |  收藏  |  浏览/下载：127/7  |  提交时间：2010/04/13 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  Chemical-vapor-deposition  Walled Carbon Nanotubes  Water  Ultralong  Catalysts  Mechanism  WALLED CARBON NANOTUBES  WATER  ULTRALONG  CATALYSTS  MECHANISM   Study of nucleation positions of InAs islands on stripe-patterned GaAs(100) substrate 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2010/04/11 patterned substrate  GaAs  molecular beam epitaxy  nucleation positions  ASSEMBLED QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GE ISLANDS  GROWTH  SURFACE  ARRAYS   Rapid thermal annealing effects on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots capped by InAlAs/InGaAs layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 967-970 Lu, W; Li, DB; Zhang, ZY; Li, CR; Zhang, Z; Xu, B; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：304/5  |  提交时间：2010/04/11 crystal structure  magnetron sputtering  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INAS1-XSBX  ALLOYS  INASSB  INSB   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN   Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN 期刊论文  OAI收割 journal of materials science letters, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581-1583 Hu GQ; Kong X; Wang YQ; Wan L; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURES