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• 半导体研究所 [232]

采集方式

• OAI收割 [144]
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内容类型

• 期刊论文 [215]
• 会议论文 [17]

发表日期

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学科主题

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• 半导体物理 [43]
• 半导体化学 [1]
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浏览/检索结果: 共232条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of low-temperature GaN-Cap layer thickness on the InGaN/GaN multiple quantum well structure and its luminescence 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 1411-1419 作者:  Zhao, Yuntao;   Li, Guanghui;   Zhang, Shuai;   Liang, Feng;   Zhou, Mei;   Zhao, Degang;   Jiang, Desheng   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/07/15 Investigations on the Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Varying GaN Cap Layer Thickness 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2020, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 191 作者:  Xiaowei Wang;  Feng Liang;  Degang Zhao;  Zongshun Liu;  Jianjun Zhu ;  Jing Yang   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/05/24 Layer-Number Dependent Optical Properties of 2D Materials and Their Application for Thickness Determination 期刊论文  OAI收割 Adv. Funct. Mater., 2017, 卷号: 27, 期号: 19, 页码: 1604468(1 of 23) 作者:  Xiao-Li Li;  Wen-Peng Han;  Jiang-Bin Wu 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/06/15 Optical contrast determination of the thickness of SiO2 film on Si substrate partially covered by two-dimensional crystal flakes 期刊论文  OAI收割 science bulletin, 2015, 卷号: 60, 期号: 8, 页码: 806-811 Yan Lu; Xiao-Li Li; Xin Zhang; Jiang-Bin Wu; Ping-Heng Tan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/29 Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 页码: 055709 J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; J. J. Zhu; Z. S. Liu; L. C. Le; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/23 The numerical-aperture-dependent optical contrast and thickness determination of ultrathin flakes of two-dimensional atomic crystals: A case of graphene multilayers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, Acta Physica Sinica, 2013, 2013, 卷号: 62, 62, 期号: 11, 页码: 110702, 110702 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/03/26 Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunneling diodes 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1 作者:  Zhang,Yang;  Guan,Min;  Liu,Xingfang;  Zeng,Yiping 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunneling diode  I-v characteristics  Molecular beam epitaxy   Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Circular photogalvanic effect induced by near-infrared radiation in inas quantum wires patterned quasi-two-dimensional electron system 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 23, 页码: 3 作者:  Jiang, Chongyun;  Chen, Yonghai 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermo-optical tunable planar ridge microdisk resonator in silicon-on-insulator 期刊论文  iSwitch采集 Optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 11220-11227 作者:  Song, Junfeng;  Fang, Qing;  Luo, Xianshu;  Cai, Hong;  Liow, T. -Y. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12