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  • 半导体材料 [6]
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Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38
Xie Jing; Liu Yunfei; Yang Jinling; Tang Longjuan; Yang Fuhua
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文  OAI收割
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P
收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.)
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N
收藏  |  浏览/下载：291/4  |  提交时间：2010/08/12
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells 会议论文  OAI收割
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:  Zhang JY;  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 563-566
作者:  Zhang JY;  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12