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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Uniform self-rectifying resistive random-access memory based on an MXene-TiO2 Schottky junction 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE ADVANCES, 2022, 页码: 8 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/05/09 Phototransistors Based on hBN-Encapsulated NiPS3 期刊论文  OAI收割 MAGNETOCHEMISTRY, 2022, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 8 作者:  Liu, Yingjia;  Sun, Xingdan   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2023/05/09 two-dimensional materials  NiPS3  vdWs heterojunction  phototransistor  Schottky barrier   Phototransistors Based on hBN-Encapsulated NiPS3 期刊论文  OAI收割 MAGNETOCHEMISTRY, 2022, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 8 作者:  Liu, Yingjia;  Sun, Xingdan   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2023/05/09 two-dimensional materials  NiPS3  vdWs heterojunction  phototransistor  Schottky barrier   High-performance gold/graphene/germanium photodetector based on a graphene-on-germanium wafer 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2022, 卷号: 33, 期号: 34, 页码: 7 作者:  Jiang, Haiyan;  Li, Bo;  Wei, Yuning;  Feng, Shun;  Di, Zengfeng   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2022/07/14 graphene  germanium  2D material  Fermi-level pinning  photodetector   Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2022, 页码: 7 作者:  Wei, Yu-Ning;  Hu, Xian-Gang;  Zhang, Jian-Wei;  Tong, Bo;  Du, Jin-Hong   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/07/14 carbon nanotube films  Fermi-level pinning  germanium  metal-induced gap states  ohmic contacts   Effect of Cu on the passivity of Ti-xCu (x=0, 3 and 5 wt% ) alloy in phosphate-buffered saline solution within the framework of PDM-II 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHIMICA ACTA, 2021, 卷号: 386, 页码: 8 作者:  Siddiqui, Muhammad Ali;  Ren, Ling;  Macdonald, Digby D.;  Yang, Ke   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/10/15 Ti-xCu  Passivity  Electrochemical Impedance Spectroscopy  Mott-Schottky  Point Defect Model-II   Introducing Electrode Contact by Controlled Micro-Alloying in Few-Layered GaTe Field Effect Transistors 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 9 作者:  Xia, Xiuxin;  Sun, Xingdan;  Wang, Hanwen;  Li, Xiaoxi   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/02 contact  alloying  GaTe  Pd electrode   Introducing Electrode Contact by Controlled Micro-Alloying in Few-Layered GaTe Field Effect Transistors 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 9 作者:  Xia, Xiuxin;  Sun, Xingdan;  Wang, Hanwen;  Li, Xiaoxi   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 contact  alloying  GaTe  Pd electrode   Introducing Electrode Contact by Controlled Micro-Alloying in Few-Layered GaTe Field Effect Transistors 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 3 作者:  Xia, Xiuxin;  Sun, Xingdan;  Wang, Hanwen;  Li, Xiaoxi   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/01/11 A vertical silicon-graphene-germanium transistor 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 7 作者:  Liu, Chi;  Ma, Wei;  Chen, Maolin;  Ren, Wencai;  Sun, Dongming   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/02