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Simulation Study of Performance Degradation in beta-Ga2O3 (001) Vertical Schottky Barrier Diodes Based on Anisotropic Mobility Modeling 期刊论文  OAI收割
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 55005
作者:  Li, Zhipeng;   Wang, Quan;   Feng, Chun;   Wang, Qian;   Niu, Di;   Jiang, Lijuan;   Li, Wei;   Xiao, Hongling;   Wang, Xiaoliang
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/07/25
Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes 期刊论文  OAI收割
MICROMACHINES, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 259
作者:  Zhang, Shiyu;   Liu, Zeng;   Liu, Yuanyuan;   Zhi, Yusong;   Li, Peigang;   Wu, Zhenping;   Tang, Weihua
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/09/30
Influence of the bias voltage on the photoluminescence intensity and spectral responsivity of the GaN Schottky barrier photodetector 期刊论文  OAI收割
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 1614-1621
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/07/26
High-performance 5.1 nm in-plane Janus WSeTe Schottky barrier field effect transistors 期刊论文  OAI收割
NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 42, 页码: 21750-21756
作者:  Zhi-Qiang Fan;   Zhen-Hua Zhang;   Shen-Yuan Yang
  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/05/24
The Influence of Anode Trench Geometries on Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes 期刊论文  OAI收割
ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 282
作者:  Xiuxia Yang;  Zhe Cheng;  Zhiguo Yu;  Lifang Jia;  Lian Zhang;  Yun Zhang
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/11/26
Impact of graphene interlayer on performance parameters of sandwich structure Pt/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 40, 页码: 404003
作者:  J X Ran;   B Y Liu;   X L Ji;   A Fariza;   Z T Liu;   J X Wang;   P Gao;   T B Wei
  |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/05/24
Schottky-barrier modulation at germanium/monolayer MoS2 heterojunction interface: the roles of passivation and interfacial layer 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2020, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 021004
作者:  Xiaolei Ma;   Xiangwei Jiang;  Yuan Li;   Jiezhi Chen
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/11/30
PtSe 2 /graphene hetero-multilayer: gate- tunable Schottky barrier height and contact type 期刊论文  OAI收割
Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 46, 页码: 465707
作者:  Congxin Xia;  Juan Du;  Lizhen Fang;  Xueping Li;  Xu Zhao;  Xiaohui Song;  Tianxing Wang ;  Jingbo Li
  |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/11/12
Improving Performances of In-Plane Transition-Metal Dichalcogenide Schottky Barrier Field-Effect Transistors 期刊论文  OAI收割
ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 22, 页码: 19271-19277
作者:  Zhi-Qiang Fan;   Xiang-Wei Jiang;  Jiezhi Chen;   Jun-Wei Luo
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/11/12
In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides 期刊论文  OAI收割
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 16, 页码: 165402
作者:  Zhi-Qiang Fan;  Xiang-Wei Jiang;  Jun-Wei Luo;  Li-Ying Jiao;  Ru Huang
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/06/15