中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
  • 半导体研究所 [292]
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共292条，第1-10条 帮助

限定条件                
条数/页： 排序方式：
N型注入4H-SiC脉冲激光退火激活研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  武婧敏
  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2022/07/15
4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2022/07/15
4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2022/07/26
基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  王风旋
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/07/25
SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
  |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/07/26
SiC 衬底上 AlGaNGaN 微波 HEMT 制备及性能研究 学位论文  OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  陈昌禧
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/06/22
Superior tunable photocatalytic properties for water splitting in two dimensional GeC/SiC van der Waals heterobilayers 期刊论文  OAI收割
SCIENTIFIC REPORTS, 2021, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 17739
作者:  Islam, Md Rasidul;   Islam, Md Sherajul;   Mitul, Abu Farzan;   Mojumder, Md Rayid Hasan;   Islam, A. S. M. Jannatul;   Stampfl, Catherine;   Park, Jeongwon
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/03/28
Centimeter-scale low-damage micromachining on single-crystal 4H-SiC substrates using a femtosecond laser with square-shaped Flat-Top focus spots 期刊论文  OAI收割
CERAMICS INTERNATIONAL, 2021, 卷号: 47, 期号: 16, 页码: 23134-23143
作者:  Long, Jiangyou;   Peng, Qingfa;   Chen, Gaopan;   Zhang, Yuliang;   Xie, Xiaozhu;   Pan, Guoshun;   Wang, Xiaofeng
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/05/18
Pulsed Laser Annealing of Phosphorous-Implanted 4H-SiC: Electrical and Structural Characteristics 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 172-178
作者:  Wu, Jingmin;   He, Zhi;   Guo, Zhiyu;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Liu, Min;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/05/19
Extraction of the Trench Sidewall Capacitances in an n-Type 4H-SiC Trench Metal-Oxide-Semiconductor Structure 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 6, 页码: 2879-2885
作者:  Guo, Zhiyu;   Wu, Jingmin;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Xu, Pengfei;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua;   He, Zhi
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/05/19