机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 学位论文 [2]
• 专利 [1]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [2]
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学科主题

• 微电子学 [11]
• 半导体器件 [1]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    学科主题：微电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 - 收藏  |   4H-SiC快速外延生长研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 刘斌 收藏  |   The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: 122106 Liu, SB; He, Z; Zheng, L; Liu, B; Zhang, F; Dong, L; Tian, LX; Shen, ZW; Wang, JZ; Huang, YJ; Fan, ZC; Liu, XF; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Sun, GS; Yang, FH; Zeng, YP 收藏  |   The ICP etching technology of 3C-SiC films 会议论文  OAI收割 international mems conference 2006, singapore, singapore, may 09-12, 2006 Ning J (Ning Jin); Gong QC (Gong Quancheng); Sun GS (Sun Guosheng); Liu ZL (Liu Zhongli) 收藏  |   Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-493 尚也淳; 刘忠立; 孙国胜 收藏  |   6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究 期刊论文  OAI收割 电子与信息学报, 2003, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 389-394 尚也淳; 张义门; 张玉明; 刘忠立 收藏  |   SiC Schottky结反向特性的研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216 尚也淳; 刘忠立; 王姝睿 收藏  |   高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管（英文） 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 962 作者:  于芳 收藏  |   6H-SiC高压肖特基势垒二极管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1052 作者:  徐萍 收藏  |   SiC器件工艺的发展状况 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2000, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 422 王姝睿; 刘忠立 收藏  |