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• OAI收割 [22]

内容类型

• 专利 [22]

发表日期

• 2022 [1]
• 2019 [1]
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学科主题

• 天文技术与方法 [1]
• 物理化学 [1]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Magnetron sputtering scanning method for modifying silicon carbide optical reflector surface and improving surface profile（授权发明） 专利  OAI收割 专利号: US 11,339,468 B2, 申请日期: 2022-05-24, 作者:  王晋峰;  黄猛;  田杰;  王烨儒   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2023/03/23 Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts 专利  OAI收割 专利号: US20190044302A1, 申请日期: 2019-02-07, 公开日期: 2019-02-07 作者:  KANSKAR, MANOJ;  CHEN, ZHIGANG   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 Air-cooled laser device 专利  OAI收割 专利号: US9077142, 申请日期: 2015-07-07, 公开日期: 2015-07-07 作者:  XU, JIANQIU;  ZHANG, RUI;  HUANG, JINZI;  WANG, CONG   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 一种Pd/TiO2-C-SiC催化剂及其制备与应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201210064296.4, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31 作者:  包信和;  周永华;  李星运;  潘秀莲 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2015/11/16 Silicon carbide substrate, epitaxial wafer and manufacturing method of silicon carbide substrate 专利  OAI收割 专利号: US8709950, 申请日期: 2014-04-29, 公开日期: 2014-04-29 作者:  SASAKI, MAKOTO;  HARADA, SHIN   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Nitride light emitting device of using substrate decomposition prevention layer and manufacturing method of the same 专利  OAI收割 专利号: US8404505, 申请日期: 2013-03-26, 公开日期: 2013-03-26 作者:  SONG, JUNE O   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Submounts for Semiconductor Lasers 专利  OAI收割 专利号: US8068524, 申请日期: 2011-11-29, 公开日期: 2011-11-29 作者:  PATEL, C. KUMAR N.;  LYAKH, ARKADIY;  TSEKOUN, ALEXEI;  MAULINI, RICHARD   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods 专利  OAI收割 专利号: US20110064105A1, 申请日期: 2011-03-17, 公开日期: 2011-03-17 作者:  SAXLER, ADAM WILLIAM   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 Single crystal silicon carbide layers on diamond and associated methods 专利  OAI收割 专利号: US7799599, 申请日期: 2010-09-21, 公开日期: 2010-09-21 作者:  SUNG, CHIEN-MIN   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition and resulting structures and devices 专利  OAI收割 专利号: US7675068, 申请日期: 2010-03-09, 公开日期: 2010-03-09 作者:  MCCLURE, DAVIS ANDREW;  SUVOROV, ALEXANDER;  EDMOND, JOHN ADAM;  SLATER, JR., DAVID BEARDSLEY   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24