中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
  • 国家空间科学中心 [25]
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助

限定条件                
条数/页： 排序方式：
The threshold voltage degradation of MOSFET in heavy-ion single event effect test 会议论文  OAI收割
Beijing, China, May 16, 2018 - May 18, 2018
作者:  Zhang, Zeming;  Ma, Yingqi;  Li, Dan;  Tong, Chao;  Guo, Xiaoxiao
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/26
Laser-Induced Micro SEL Characterization of SRAM Devices 会议论文  OAI收割
San Antonio, TX, United states, July 8, 2019 - July 12, 2019
作者:  Yingqi, Ma;  Jianwei, Han;  Shipeng, Shangguan;  Xiang, Zhu;  Rui, Chen
  |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/12/26
SEE Characteristics of COTS Devices by 1064nm Pulsed Laser Backside Testing 会议论文  OAI收割
Waikoloa, HI, United states, July 16, 2018 - July 20, 2018
作者:  Ma, Yingqi;  Han, Jianwei;  Shangguan, Shipeng;  Chen, Rui;  Zhu, Xiang
  |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/03/05
用于空间辐射效应评估的软件-SEREAT 期刊论文  OAI收割
宇航学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 317-322
作者:  陈善强;  刘四清;  师立勤;  陈东
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2017/09/14
脉冲激光模拟SRAM单粒子效应的试验研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院空间科学与应用研究中心, 2015
作者:  余永涛
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/11/12
COTS器件的空间辐射效应与对策分析 期刊论文  OAI收割
电子元件与材料, 2015, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 1-4
作者:  贾文远;  安军社
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/04/22
K6R4016V1D芯片在低地球轨道发生单粒子效应频次的分析 期刊论文  OAI收割
空间科学学报, 2015, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 64-68
作者:  韩建伟;  封国强;  余永涛;  马英起;  上官士鹏
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/09/28
脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究 期刊论文  OAI收割
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 11, 页码: 2137-2141
上官士鹏; 封国强; 余永涛; 姜昱光; 韩建伟
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/04/30
单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法 期刊论文  OAI收割
核电子学与探测技术, 2013, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 289-295
陈睿; 纪冬梅; 封国强; 沈忱; 韩建伟
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2014/04/30
SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究 期刊论文  OAI收割
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: SUPPL. 1, 页码: 587-591
作者:  余永涛;  封国强;  陈睿;  上官士鹏;  韩建伟
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/10/27